SUBSTRATE HOLDER

The invention relates to microwave technology, and can be used for manufacturing holders for substrates on which films or coatings of different materials, particularly carbon (diamond) films or coatings, are formed by means of a method of plasma vapour-phase chemical deposition. The technical result of the invention is an increase in the uniformity of the distribution of a temperature field across the surface of a holder, providing for the uniformity of the film growth through the thickness thereof. The substrate holder is designed in the form of a disc made of a refractory high-temperature transition metal. Furthermore, an upper surface of the holder is polished, and a lower surface of the holder contains annular grooves, which are formed by concentric circles. Furthermore, an outer heat-sinking element and a middle heat-sinking element, which are in the form of annular projections, and a central heat-sinking element, which is a projection in the form of a circle, are formed between the annular grooves. L'invention concerne les équipements UHF et peut être utilisée pour fabriquer des supports pour substrats sur lesquels on forme des films par procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou par formation de revêtement de différents matériaux, notamment des films ou des surfaces de carbone (de diamant). Le résultat technique de l'invention consiste à améliorer la régularité de répartition du champ thermique à la surface du support assurant une homogénéité de croissance du film en suivant son épaisseur. Le support de substrat se présente comme un disque en métal de transition haute température. La surface supérieure du support est polie, et la surface inférieure du support comprend des gorges formées par des cercles concentriques. On a formé entre les gorges des éléments dissipateurs thermiques sous forme de saillies annulaires et un dissipateur thermique central se présentant comme une saille sous la forme d'un cercle. Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано для изготовления держателей для подложек, на которых формируют методом плазменного парофазного химического осаждения пленки или покрытия различных материалов, в частности, углеродные (алмазные) пленки или покрытия. Техническим результатом изобретения является повышение однородности распределения температурного поля по поверхности держателя, обеспечивающего однородность роста пленки по толщине. Держатель подложки, выполненный в форме диска из тугоплавкого высокотемпературного переходн