ULTRA-DEEP POWER DOWN MODE CONTROL IN A MEMORY DEVICE

Described are embodiments directed to memory devices, including non-volatile memory (NVM), such as flash memory devices, and/or resistive switching memories (e.g., conductive bridging random-access memory [CBRAM], resistive RAM [ReRAM], etc.). Particular embodiments can include structures and methods of operating flash and/or resistive switching memories that can be written (programmed/erased) between one or more resistance and/or capacitive states. A CBRAM storage element may be configured such that when a forward or reverse bias greater than a threshold voltage is applied across electrodes of the CBRAM storage element, the electrical properties (e.g., resistance) of the CBRAM storage element can change. Such embodiments are suitable to any type of memory device, including both volatile and non-volatile types/devices, and that may include resistive switching memory devices. L'invention comprend des modes de réalisation concernant des dispositifs de mémoire, comprenant une mémoire non-volatile (NVM), tels que les dispositifs de mémoire flash, et/ou des mémoires à commutation résistive (par exemple, mémoire à accès direct à pont conducteur [CBRAM], mémoire RAM résistive [ReRAM], etc). Des modes de réalisation particuliers peuvent concerner des structures et des procédés de fonctionnement de mémoires flash et/ou à commutation résistive qui peuvent être écrites (programmées/effacées) entre un ou plusieurs états résistifs et/ou capacitifs. Un élément de mémoire CBRAM peut être conçu de sorte que lorsqu'une polarisation vers l'avant ou vers l'arrière supérieure à une tension seuil est appliquée entre des électrodes de l'élément de mémoire CBRAM, les propriétés électriques (par exemple, résistance) de l'élément de mémoire CBRAM puissent changer. De tels modes de réalisation sont appropriés à tout type de dispositif de mémoire, y compris les types/dispositifs volatiles et non volatiles, et pouvant comprendre des dispositifs de mémoire à commutation résistive.