METHOD FOR DOPING SILICON WAFERS

The invention provides a method for doping of silicon wafers (8) using a diffusion oven (1), said diffusion oven (1) having a door (2) for loading and unloading of the silicon wafers (8), an inner volume (6), gas inlets (4) for a reaction gas, a doping gas and a carrier gas and means for modifying the flow rate of said reaction gas, said doping gas and said carrier gas into the interior volume (6) of the diffusion oven (1), said method comprising the steps of loading silicon wafers (8) into the diffusion oven (1), heating the diffusion oven (1) in accordance with a predetermined temperature profile at leastduring a deposition time, letting reaction gas, doping gas and carrier gas flow simultaneously into the inner volume (6) and unloading the doped silicon wafers (8) from the diffusion oven (1), wherein during the deposition time in which reaction gas, doping gas and carrier gas flow simultaneously into the interior volume (6) of the diffusion oven (1), the ratio of the flow rate of reaction gas and flow rate of doping gas is changed at least once from a first ratio to a second ratio and/or the flow rate of the carrier gas is changed at least once from a first flow rate to a second flow rate. L'invention concerne un procédé de dopage de plaquettes de silicium (8) à l'aide d'un four de diffusion (1), ledit four de diffusion (1) comportant une porte (2) pour le chargement et le déchargement des plaquettes de silicium (8), un volume intérieur (6), des entrées de gaz (4) pour un gaz de réaction, un gaz dopant et un gaz porteur et des moyens pour modifier le débit dudit gaz de réaction, dudit gaz dopant et dudit gaz porteur entrant dans le volume intérieur (6) du four de diffusion (1), ledit procédé comprenant les étapes consistant à charger des plaquettes de silicium (8) dans le four de diffusion (1), à chauffer le four de diffusion (1) conformément à un profil de température prédéterminé au moins pendant un temps de dépôt, à faire entrer le gaz de réaction, le gaz dopant et le gaz porteur simultanément dans le volume intérieur (6) et à décharger les plaquettes de silicium dopées (8) du four de diffusion (1). Pendant le temps de dépôt pendant lequel le gaz de réaction, le gaz dopant et le gaz porteur entrent simultanément dans le volume intérieur (6) du four de diffusion (1), le rapport entre le débit du gaz de réaction et le débit du gaz dopant est changé au moins une fois d'un premier rapport à un deuxième rapport et/ou le débit du gaz porteur est changé au