NITRIDE-BASED DIODE ELEMENT COMPRISING VERTICAL CONTACT STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREFOR

A nitride-based diode element according to one embodiment comprises: a first nitride-based semiconductor pattern layer comprising a first plane and a second plane facing each other; and a first electrode pattern layer and a second electrode pattern layer arranged on the first plane of the first nitride-based semiconductor pattern layer, and respectively forming a Schottky contact and an Ohmic contact with the first nitride-based semiconductor pattern layer. In addition, the nitride-based diode element comprises: a second nitride-based first semiconductor pattern layer arranged on the second plane of the first nitride-based semiconductor pattern layer, and having an energy band gap different from that of the first nitride-based semiconductor pattern layer; a first electrode pad electrically connected to the first electrode pattern layer by a first vertical contact layer; and a second electrode pad electrically connected to the second electrode pattern layer by a second vertical contact layer, wherein the first electrode pad and the second electrode pad are arranged on opposite sides of each other in a vertical direction on the basis of the first nitride-based semiconductor pattern layer. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un élément diode à base de nitrure comprenant : une première couche de motif semi-conducteur à base de nitrure comprenant un premier plan et un second plan se faisant mutuellement face ; et une première couche de motif d'électrode et une seconde couche de motif d'électrode agencées sur le premier plan de la première couche de motif semi-conducteur à base de nitrure, et formant respectivement un contact Schottky et un contact Ohmique avec la première couche de motif semi-conducteur à base de nitrure. En outre, l'élément diode à base de nitrure comprend : une seconde couche de motif semi-conducteur à base de nitrure disposée sur le second plan de la première couche de motif semi-conducteur à base de nitrure, et ayant un espace de bande d'énergie différent de celui de la première couche de motif semi-conducteur à base de nitrure ; une première pastille d'électrode connectée électriquement à la première couche de motif d'électrode par une première couche de contact verticale ; et une seconde pastille d'électrode connectée électriquement à la seconde couche de motif d'électrode par une seconde couche de contact verticale, la première pastille d'électrode et la seconde pastille d'électrode étant agencées sur des côtés opposés l'u