PHOTOVOLTAIC DEVICES WITH FINE-LINE METALLIZATION AND METHODS FOR MANUFACTURE

A method for use in forming a photovoltaic device includes forming a doped semiconductor layer on a surface of a semiconductor substrate and forming a metal film on the doped semiconductor layer. A patterned etched resist is formed on the metal film and a dielectric layer is formed on the doped semiconductor layer and the etched resist. A laser having a wavelength absorbable by the patterned etch resist is applied through the dielectric layer to the patterned etch resist to remove the patterned etch resist. L'invention concerne un procédé destiné à être utilisé dans la formation d'un dispositif photovoltaïque et qui consiste à former une couche semi-conductrice dopée sur une surface d'un substrat semi-conducteur et à former un film métallique sur la couche semi-conductrice dopée. Une réserve gravée à motifs est formée sur le film métallique et une couche diélectrique est formée sur la couche semi-conductrice dopée et la réserve gravée. Un laser ayant une longueur d'onde pouvant être absorbée par la réserve gravée à motifs est appliqué à travers la couche diélectrique sur la réserve gravée à motifs pour éliminer la réserve gravée à motifs.