CONCURRENT READ AND RECONFIGURED WRITE OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

A method of controlling a memory device can include: receiving, by an interface, a write command from a host; beginning execution of a write operation on a first array plane of a memory array in response to the write command, where the memory array includes a plurality of memory cells arranged in a plurality of array planes; receiving, by the interface, a read command from the host; reconfiguring the write operation in response to detection of the read command during execution of the write operation; beginning execution of a read operation on a second array plane in response to the read command; and restoring the configuration of the write operation after the read operation has at least partially been executed. La présente invention concerne un procédé de commande d'un dispositif de mémoire qui peut comprendre les étapes consistant : à recevoir, par une interface, une instruction d'écriture depuis un hôte; à commencer l'exécution d'une opération d'écriture sur un premier plan de réseau d'un réseau de mémoires en réponse à l'instruction d'écriture, où le réseau de mémoires comprend une pluralité de cellules de mémoire agencées dans une pluralité de plans de réseau; à recevoir, par l'interface, une instruction de lecture en provenance de l'hôte; à reconfigurer l'opération d'écriture en réponse à la détection de l'instruction de lecture pendant l'exécution de l'opération d'écriture; à commencer l'exécution d'une opération de lecture sur un second plan de réseau en réponse à l'instruction de lecture; et à restaurer la configuration de l'opération d'écriture après que l'exploitation de lecture ait été au moins partiellement exécutée.