PHOTONIC DEGRADATION MONITORING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
Methods of testing a semiconductor, and semiconductor testing apparatus, are described. In an example, a method for testing a semiconductor can include applying light on the semiconductor to induce photonic degradation. The method can also include receiving a photoluminescence measurement induced fr...
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| Format: | Patent |
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| creator | QIU, Taiqing JOHNSON, Michael C SOLTZ, David Aitan TRACY, Kieran Mark RIM, Seung Bum TU, Xiuwen SHEN, Yu-Chen |
| description | Methods of testing a semiconductor, and semiconductor testing apparatus, are described. In an example, a method for testing a semiconductor can include applying light on the semiconductor to induce photonic degradation. The method can also include receiving a photoluminescence measurement induced from the applied light from the semiconductor and monitoring the photonic degradation of the semiconductor from the photoluminescence measurement.
L'invention concerne des procédés de test d'un semi-conducteur, ainsi qu'un appareil de test de semi-conducteur. Dans un exemple, un procédé de test d'un semi-conducteur peut consister à appliquer de la lumière sur le semi-conducteur afin d'induire une dégradation photonique. Le procédé peut également consister à recevoir en provenance du semi-conducteur une mesure de photo-luminescence induite par la lumière appliquée, et à surveiller la dégradation photonique du semi-conducteur à partir de la mesure de photo-luminescence. |
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L'invention concerne des procédés de test d'un semi-conducteur, ainsi qu'un appareil de test de semi-conducteur. Dans un exemple, un procédé de test d'un semi-conducteur peut consister à appliquer de la lumière sur le semi-conducteur afin d'induire une dégradation photonique. Le procédé peut également consister à recevoir en provenance du semi-conducteur une mesure de photo-luminescence induite par la lumière appliquée, et à surveiller la dégradation photonique du semi-conducteur à partir de la mesure de photo-luminescence.</description><language>eng ; fre</language><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MEASURING ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20161110&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2016179118A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25563,76318</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20161110&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2016179118A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>QIU, Taiqing</creatorcontrib><creatorcontrib>JOHNSON, Michael C</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLTZ, David Aitan</creatorcontrib><creatorcontrib>TRACY, Kieran Mark</creatorcontrib><creatorcontrib>RIM, Seung Bum</creatorcontrib><creatorcontrib>TU, Xiuwen</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, Yu-Chen</creatorcontrib><title>PHOTONIC DEGRADATION MONITORING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES</title><description>Methods of testing a semiconductor, and semiconductor testing apparatus, are described. In an example, a method for testing a semiconductor can include applying light on the semiconductor to induce photonic degradation. The method can also include receiving a photoluminescence measurement induced from the applied light from the semiconductor and monitoring the photonic degradation of the semiconductor from the photoluminescence measurement.
L'invention concerne des procédés de test d'un semi-conducteur, ainsi qu'un appareil de test de semi-conducteur. Dans un exemple, un procédé de test d'un semi-conducteur peut consister à appliquer de la lumière sur le semi-conducteur afin d'induire une dégradation photonique. Le procédé peut également consister à recevoir en provenance du semi-conducteur une mesure de photo-luminescence induite par la lumière appliquée, et à surveiller la dégradation photonique du semi-conducteur à partir de la mesure de photo-luminescence.</description><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MEASURING</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLAM8PAP8ffzdFZwcXUPcnRxDPH091PwBYqE-Ad5-rkruPkHKQS7-no6-_u5hDoDBYEKwzydXYN5GFjTEnOKU3mhNDeDsptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8uL-RgaGZobmloaGFo6ExcaoAWuoqDQ</recordid><startdate>20161110</startdate><enddate>20161110</enddate><creator>QIU, Taiqing</creator><creator>JOHNSON, Michael C</creator><creator>SOLTZ, David Aitan</creator><creator>TRACY, Kieran Mark</creator><creator>RIM, Seung Bum</creator><creator>TU, Xiuwen</creator><creator>SHEN, Yu-Chen</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20161110</creationdate><title>PHOTONIC DEGRADATION MONITORING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES</title><author>QIU, Taiqing ; JOHNSON, Michael C ; SOLTZ, David Aitan ; TRACY, Kieran Mark ; RIM, Seung Bum ; TU, Xiuwen ; SHEN, Yu-Chen</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2016179118A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2016</creationdate><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MEASURING</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>QIU, Taiqing</creatorcontrib><creatorcontrib>JOHNSON, Michael C</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLTZ, David Aitan</creatorcontrib><creatorcontrib>TRACY, Kieran Mark</creatorcontrib><creatorcontrib>RIM, Seung Bum</creatorcontrib><creatorcontrib>TU, Xiuwen</creatorcontrib><creatorcontrib>SHEN, Yu-Chen</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>QIU, Taiqing</au><au>JOHNSON, Michael C</au><au>SOLTZ, David Aitan</au><au>TRACY, Kieran Mark</au><au>RIM, Seung Bum</au><au>TU, Xiuwen</au><au>SHEN, Yu-Chen</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PHOTONIC DEGRADATION MONITORING FOR SEMICONDUCTOR DEVICES</title><date>2016-11-10</date><risdate>2016</risdate><abstract>Methods of testing a semiconductor, and semiconductor testing apparatus, are described. In an example, a method for testing a semiconductor can include applying light on the semiconductor to induce photonic degradation. The method can also include receiving a photoluminescence measurement induced from the applied light from the semiconductor and monitoring the photonic degradation of the semiconductor from the photoluminescence measurement.
L'invention concerne des procédés de test d'un semi-conducteur, ainsi qu'un appareil de test de semi-conducteur. Dans un exemple, un procédé de test d'un semi-conducteur peut consister à appliquer de la lumière sur le semi-conducteur afin d'induire une dégradation photonique. Le procédé peut également consister à recevoir en provenance du semi-conducteur une mesure de photo-luminescence induite par la lumière appliquée, et à surveiller la dégradation photonique du semi-conducteur à partir de la mesure de photo-luminescence.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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