ATOMIC LAYER DEPOSITION CHAMBER WITH FUNNEL-SHAPED GAS DISPERSION CHANNEL AND GAS DISTRIBUTION PLATE
Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a substrate processing chamber includes: a chamber body; a chamber lid assembly having a housing enclosing a central channel that extends along a central axis and has an upper portion and a lower portion; a li...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a substrate processing chamber includes: a chamber body; a chamber lid assembly having a housing enclosing a central channel that extends along a central axis and has an upper portion and a lower portion; a lid plate coupled to the housing and having a contoured bottom surface that extends downwardly and outwardly from a central opening coupled to the lower portion of the central channel to a peripheral portion of the lid plate; and a gas distribution plate disposed below the lid plate and having a plurality of apertures disposed through the gas distribution plate.
L'invention porte sur des procédés et sur un appareil pour traiter un substrat. Dans certains modes de réalisation, une chambre de traitement de substrat comprend : un corps de chambre; un ensemble de couvercle de chambre ayant un boîtier entourant un canal central qui s'étend le long d'un axe central et possède une partie supérieure et une partie inférieure; une plaque de couvercle accouplée au boîtier et ayant une surface inférieure profilée qui s'étend vers le bas et vers l'extérieur à partir d'une ouverture centrale accouplée à la partie inférieure du canal central en direction d'une partie périphérique de la plaque de couvercle; et une plaque de distribution de gaz disposée sous la plaque de couvercle, une pluralité d'ouvertures étant ménagée à travers la plaque de distribution de gaz. |
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