CARBON EVAPORATION SOURCE

The purpose of the present invention is to provide a carbon evaporation source which can have a heightened evaporation rate to heighten the rate of DLC film deposition and thereby improve the efficiency of DLC film production. The carbon evaporation source comprises carbon and at least one heteroelement, and is characterized in that the heteroelement is boron and the proportion of the boron in the carbon evaporation source has been regulated to 0.3-30 atm.%, when the whole carbon evaporation source is taken as 100 atm.%. The carbon evaporation source is further characterized by having an electrical resistance of 25 µΩ·m or less. La présente invention a pour objet de fournir une source d'évaporation de carbone qui peut présenter une vitesse d'évaporation accrue permettant d'augmenter la vitesse de dépôt de film de carbone amorphe (DLC) et d'améliorer ainsi l'efficacité de production d'un film DLC. La source d'évaporation de carbone comprend du carbone et au moins un hétéroélément, et est caractérisée en ce que l'hétéroélément est le bore et la proportion de bore dans la source d'évaporation de carbone a été régulée de 0,3 à 30 % atomique, l'ensemble de la source d'évaporation de carbone représentant 100 % atomique. La source d'évaporation de carbone est en outre caractérisée en ce qu'elle présente une résistance électrique inférieure ou égale à 25 µΩ * m. 本発明は、蒸発源の蒸発速度を高めてＤＬＣ膜の成膜速度を高めることにより、ＤＬＣ膜の生産効率を向上することができる炭素蒸発源を提供することを目的としている。 炭素と、少なくとも１つのヘテロ元素とを含有する炭素蒸発源であって、上記ヘテロ元素がホウ素であり、炭素蒸発源の総量を１００原子％としたときに、炭素蒸発源の総量に対する上記ホウ素の割合が０．３原子％以上３０原子％以下に規制され、且つ、電気抵抗率が２５μΩ・ｍ以下であることを特徴とする。