METHOD OF TEMPORARILY SUPPORTING A WAFER DURING DICING AND RFID DEVICE

Deep reactive ion silicon etching of a device wafer, laser-induced release of individual dies, and individual placement of the dies on flexible substrates facilitate formation of circuits having relatively large external inductors for powering devices such as RFID devices. Small flexible tabs enable die-inductor connection. The absorption properties of both an adhesive layer and an ablation layer may be employed to facilitate debonding of individual dies (22') from a glass handler (28') without damaging integrated circuits (24') associated with the dies. Die packs (36) including cavities (38) for accepting individual dies facilitate fabrication processes using dies having small dimensions. L'invention concerne la gravure profonde de silicium par ions réactifs d'une tranche de dispositif, la séparation induite par laser de puces individuelles et la mise en place individuelle des puces sur des substrats souples, qui facilitent la formation de circuits ayant des bobines d'induction externes relativement grandes pour alimenter des dispositifs tels que des dispositifs d'identification par radiofréquence (RFID). De petites languettes flexibles permettent une connexion puce-bobine d'induction. Les propriétés d'absorption à la fois d'une couche adhésive et d'une couche d'ablation peuvent servir à faciliter le décollage des puces individuelles (22') d'un manipulateur en verre (28') sans endommager les circuits intégrés (24') associés aux puces. Des boîtiers de puce (36) comprenant des cavités (38) destinées à recevoir des puces individuelles facilitent la mise en œuvre de processus de fabrication utilisant des puces de petites dimensions.