SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

This semiconductor optical device has a laminate structure 30 formed by laminating a first compound semiconductor layer 31, an active layer 33, and a second compound semiconductor layer 32. The active layer 33 has a multiple quantum well structure including a plurality of well layers, and each well layer is formed of an AlInGaN-based compound semiconductor. When the atomic percentage of Indium of the AlInGaN-based compound semiconductor in each well layer is XIn, a value (ΔX=XIn-max-XIn-min), in a well layer of the active layer, obtained by subtracting a minimum value XIn-min of XIn from a maximum value XIn-max of XIn is 0.01 or lower. L'invention concerne un dispositif optique à semi-conducteurs qui possède une structure stratifiée (30) formée par stratification d'une première couche de semi-conducteur composé (31), d'une couche active (33) et d'une seconde couche de semi-conducteur composé (32). La couche active (33) possède une structure à multiples puits quantiques comprenant une pluralité de couches de puits et chaque couche de puits est formée d'un semi-conducteur composé à base d'AlInGaN. Lorsque le pourcentage atomique de l'indium du semi-conducteur composé à base d'AlInGaN dans chaque couche de puits est XIn, une valeur (ΔX = XIn - max - XIn - min), dans une couche de puits de la couche active, obtenue en soustrayant une valeur minimale XIn - min de XIn d'une valeur maximale XIn - max de XIn est égale ou inférieure à 0,01. 半導体光デバイスは、第１化合物半導体層３１、活性層３３及び第２化合物半導体層３２が積層されて成る積層構造体３０を有しており、活性層３３は複数の井戸層を備えた多重量子井戸構造を有しており、井戸層はＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体から成り、各井戸層におけるＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体のインジウム原子百分率をＸInとしたとき、活性層の井戸層におけるＸInの最大値ＸIn-maxからＸInの最小値ＸIn-minを減じた値（ΔＸ＝ＸIn-max－ＸIn-min）は０．０１以下である。