SEALED STRUCTURE

[Problem] To provide a means that, even when an electronic device or the like has been sealed using a technique in which a join section is thin, enables reliable sealing and can even maintain excellent sealing performance when subjected to impact. [Solution] A sealed structure having a main substrate, a body to be sealed that is arranged on the main substrate, and a sealing substrate that is joined to the main substrate by a join section provided at the periphery of the body to be sealed, thereby sealing the body to be sealed. The sealing substrate has a support, and a gas barrier layer disposed on the side of the support on which the body to be sealed is present. The thickness of the join section is 0.1-100 nm, and a resin film satisfying conditions (A) and (B) is used as the main substrate and/or the support. (A) The thickness is at least 1 μm and less than 30 μm. (B) The Young's modulus at 25℃ is 1-10 GPa. [Problème] Fournir une solution qui, même lorsqu'un dispositif électronique ou autre dispositif similaire a été scellé de manière étanche à l'aide d'une technique dans laquelle une section de jonction est mince, permette de réaliser une étanchéité fiable et puisse aussi conserver un excellent niveau d'étanchéité lorsqu'il est soumis à un choc. [Solution] Une structure étanche ayant un substrat principal, un corps devant être rendu étanche qui est disposé sur le substrat principal, et un substrat d'étanchéité qui est joint au substrat principal par une section de jonction prévue au niveau de la périphérie du corps à sceller, ce qui permet de sceller le corps pour être étanche. Le substrat d'étanchéité a un support, et une couche de barrière aux gaz disposée sur le côté du support sur lequel le corps à sceller est présent. L'épaisseur de la section de jonction est de 0,1 à 100 nm, et un film de résine satisfaisant aux conditions (A) et (B) est utilisé en tant que substrat principal et/ou support. (A) L'épaisseur est d'au moins 1 μm et inférieure à 30 μm. (B) Le module de Young à 25 °C est de 1 à 10 GPa. 接合部を薄くする技術により電子デバイス等の封止を行った場合であっても、確実な封止を可能とし、かつ、衝撃が加えられた場合であっても高い封止性能を維持することを可能とする手段を提供する。主基材と、前記主基材上に配置された被封止体と、前記被封止体の周囲に設けられた接合部を介して前記主基材と接合して前記被封止体を封止する封止基材とを有する封止構造体において、前記封止基材として、支持体と、前記支持体に対して前記被封止体側に配置されたガスバリア層とを備えるものを用い、前記接合部の厚さを０．１～１００ｎｍとし、前記主基材または前記支持体の少なくとも一方として、下記（Ａ）および（Ｂ）の条件を満たす樹脂フィルムを用いる：（Ａ）厚さが１μｍ以上３０μｍ未満である；（Ｂ）２５℃におけるヤング率が１～１０ＧＰａである。