SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONTROL UNIT

The purpose of the present invention is to seal a passive element of a peripheral circuit in a sealing resin to achieve high functionality in a semiconductor module. The present invention comprises a structure in which semiconductor switching elements (1, 2) and a passive element (10) are joined to lead terminals (51a-53b) separately disposed in three layers, namely a first lead terminal layer (1L), a second lead terminal layer (2L), and a third lead terminal layer (3L), and subsequently sealed in a sealing resin (11). The height of the passive element (10) sealed in a first sealing resin layer (1M) between the first lead terminal layer (1L) and the second lead terminal layer (2L) is set so as to be lower than the sum total of the height of the semiconductor switching element (1), and the height of a metal block (8a). Selon l'invention, un élément passif d'un circuit périphérique est encapsulé à l'intérieur d'une résine d'encapsulation, et les fonctions d'un module à semi-conducteurs, sont ainsi élevées. Des éléments de commutations à semi-conducteurs (1, 2) et l'élément passif (10) sont liés à des bornes de raccordement (51a à 53b) disposées séparément sur trois couches une première couche de borne de raccordement (1L), une seconde couche de borne de raccordement (2L) et une troisième couche de borne de raccordement (3L), et constituent une structure encapsulée à l'intérieur d'une résine d'encapsulation (11). La hauteur de l'élément passif (10) encapsulé dans une première couche de résine d'encapsulation (1M) entre la première et la seconde couche de borne de raccordement (1L, 2L), est inférieure à la somme de la hauteur de l'élément de commutations à semi-conducteurs (1) et de la hauteur d'un bloc métallique (8a). 周辺回路の受動素子を封止樹脂内に封止し、半導体モジュールの高機能化をはかる。 半導体スイッチング素子１、２と受動素子１０とを、第１リード端子層１Ｌ、第２リード端子層２Ｌ、第３リード端子層３Ｌの３層に分けて配置されたリード端子５１ａ～５３ｂに接合したうえで、封止樹脂１１に封止した構造からなり、第１リード端子層１Ｌと第２リード端子層２Ｌの間の第１封止樹脂層１Ｍに封止された受動素子１０の高さを、半導体スイッチング素子１の高さと、金属ブロック８ａの高さの合計よりも小さくした。