THIN FILM III-V OPTOELECTRONIC DEVICE OPTIMIZED FOR NON-SOLAR ILLUMINATION SOURCES

An optoelectronic device with high band-gap absorbers optimized for indoor use and a method of manufacturing are disclosed. The optoelectronic semiconductor device comprises a p-n structure made of one or more compound semiconductors, wherein the p-n structure comprises a base layer and an emitter l...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	FRANCE, CHRISTOPHER, HE, GANG, KAYES, BRENDAN M, HIGASHI, GREGG S, COWLEY, SAM, ZHANG, LING
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	An optoelectronic device with high band-gap absorbers optimized for indoor use and a method of manufacturing are disclosed. The optoelectronic semiconductor device comprises a p-n structure made of one or more compound semiconductors, wherein the p-n structure comprises a base layer and an emitter layer, wherein the base and/or emitter layers comprise materials whose quantum efficiency spectrum is well-matched to a spectrum of incident light, wherein the incident light is from a light source other than the sun; and wherein the device is a flexible single-crystal device. The method for forming an optoelectronic device optimized for the conversion of light from non-solar illumination sources into electricity, comprises depositing a buffer layer on a wafer; depositing a release layer above the buffer layer; depositing a p-n structure above the release layer; and lifting off the p-n structure from the wafer. L'invention concerne un dispositif optoélectronique doté d'absorbeurs à bande interdite élevée et optimisé pour une utilisation en intérieur, et un procédé de fabrication. Le dispositif semi-conducteur optoélectronique comprend une structure p-n constituée d'un ou plusieurs semi-conducteurs composés, laquelle structure p-n comprend une couche de base et une couche d'émetteur, laquelle couche de base et/ou couche d'émetteur comprennent des matériaux dont le spectre de rendement quantique est bien adapté à un spectre de lumière incidente, laquelle lumière incidente provient d'une source de lumière autre que le soleil; et lequel dispositif est un dispositif monocristallin souple. Le procédé de formation d'un dispositif optoélectronique optimisé pour la conversion de lumière provenant de sources d'éclairage non solaires en électricité, consiste à déposer une couche tampon sur une plaquette; à déposer une couche de libération au-dessus de la couche tampon; à déposer une structure p-n au-dessus de la couche de libération; et à enlever la structure p-n de la plaquette.