CONTINUOUS DIFFUSION CONFIGURABLE STANDARD CELL ARCHITECTURE

At least one configurable circuit cell with a continuous active region includes at least one center subcell, a first-side subcell, and a second-side subcell. Each center subcell includes first and second pMOS transistors and first and second nMOS transistors. The first pMOS transistor has a first-pMOS-transistor gate, source, and drain. The first-pMOS-transistor source is coupled to a first voltage source. The second pMOS transistor has a second-pMOS-transistor gate, source, and drain. The second-pMOS-transistor source is coupled to the first voltage source. The first-pMOS-transistor drain and the second-pMOS-transistor drain are a same drain. The first nMOS transistor has a first-nMOS-transistor gate, source, and drain. The first-nMOS-transistor source is coupled to a second voltage source. The second nMOS transistor has a second-nMOS-transistor gate, source, and drain. The second-nMOS-transistor source is coupled to the second voltage source. The first-nMOS-transistor drain and the second-nMOS-transistor drain are a same drain. L'invention concerne au moins une cellule de circuit configurable comportant une région active continue, ladite cellule comprend au moins une sous-cellule centrale, une sous-cellule de premier côté et une sous-cellule de second côté. Chaque sous-cellule centrale comprend des premier et second transistors pMOS et des premier et second transistors nMOS. Le premier transistor pMOS comporte une grille, une source et un drain de premier transistor pMOS. La source de premier transistor pMOS est couplée à une première source de tension. Le second transistor pMOS comporte une grille, une source et un drain de second transistor pMOS. La source de second transistor pMOS est couplée à la première source de tension. Le drain de premier transistor pMOS et le drain de second transistor pMOS sont un même drain. Le premier transistor nMOS comporte une grille, une source et un drain de premier transistor nMOS. La source de premier transistor nMOS est couplée à une seconde source de tension. Le second transistor nMOS comporte une grille, une source et un drain de second transistor nMOS. La source de second transistor nMOS est couplée à la seconde source de tension. Le drain de premier transistor nMOS et le drain de second transistor nMOS sont un même drain.