MTJ STRUCTURE HAVING VERTICAL MAGNETIC ANISOTROPY AND MAGNETIC ELEMENT INCLUDING SAME

An MTJ structure having vertical magnetic anisotropy is provided. The MTJ structure having vertical magnetic anisotropy can comprise: a substrate; an artificial antiferromagnetic layer located on the substrate; a buffer layer located on the artificial antiferromagnetic layer, and including W or an alloy containing W; a first ferromagnetic layer located on the buffer layer, and having vertical magnetic anisotropy; a tunneling barrier layer located on the first ferromagnetic layer; and a second ferromagnetic layer located on the tunneling barrier layer, and having vertical magnetic anisotropy. Accordingly, in the application of bonding the artificial antiferromagnetic layer with a CoFeB/MgO/CoFeB structure, the MTJ structure having improved thermal stability at high temperature can be provided by using the buffer layer therebetween. L'invention concerne une structure JTM ayant une anisotropie magnétique verticale. La structure JTM ayant une anisotropie magnétique verticale peut comprendre : un substrat ; une couche antiferromagnétique artificielle située sur le substrat ; une couche tampon située sur la couche antiferromagnétique artificielle, et comprenant W ou un alliage contenant W ; une première couche ferromagnétique située sur la couche tampon, et ayant une anisotropie magnétique verticale ; une couche barrière à effet tunnel située sur la première couche ferromagnétique ; et une seconde couche ferromagnétique située sur la couche barrière à effet tunnel, et présentant une anisotropie magnétique verticale. En conséquence, lors d'une étape de liaison de la couche antiferromagnétique artificielle avec une structure CoFeB/MgO/CoFeB, la structure JTM ayant une stabilité thermique améliorée à haute température peut être fournie par l'utilisation de la couche tampon entre celles-ci. 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조를 제공한다. 수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 인위적 반강자성층, 상기 인위적 반강자성층 상에 위치하되, W 또는 W를 포함하는 합금을 포함하는 버퍼층, 상기 버퍼층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층, 상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층 및 상기 터널링 배리어층 상에 위치하고, 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함할 수 있다. 따라서, 인위적 반강자성층을 CoFeB/MgO/CoFeB 구조와 접합시키는 적용에 있어서 그 사이에 버퍼층을 사용함으로써 고온에서의 열적 안정성이 향상된 MTJ 구조를 제공할 수 있다.