MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THEREOF

According to various embodiments, there is provided a memory device including at least one sense amplifier having a first side and a second side, wherein the second side opposes the first side; a first array including a plurality of memory cells arranged at the first side; a second array including a plurality of memory cells arranged at the second side; a first row including a plurality of mid-point reference units arranged at the first side; and a second row including a plurality of mid-point reference units arranged at the second side, wherein each mid-point reference unit of the first row is configured to generate a first reference voltage, and wherein each mid-point reference unit of the second row is configured to generate a second reference voltage; wherein the sense amplifier is configured to determine a resistance state of a memory cell of the first array based on the second reference voltage; wherein the sense amplifier is configured to determine a resistance state of a memory cell of the second array based on the first reference voltage. Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant au moins un amplificateur de détection doté d'un premier côté et d'un second côté, le second côté étant opposé au premier côté; un premier réseau comprenant une pluralité de cellules de mémoire disposées sur le premier côté; un second réseau comprenant une pluralité de cellules de mémoire disposées sur le second côté; une première rangée comprenant une pluralité d'unités de référence de point milieu agencées sur le premier côté; et une seconde rangée comprenant une pluralité d'unités de référence de point milieu agencées sur le second côté, chaque unité de référence de point milieu de la première rangée étant conçue pour générer une première tension de référence, et chaque unité de référence de point milieu de la deuxième rangée étant conçue pour générer une seconde tension de référence; l'amplificateur de détection étant conçu pour déterminer l'état de résistance d'une cellule de mémoire du premier réseau sur la base de la seconde tension de référence; et l'amplificateur de détection étant conçu pour déterminer l'état de résistance d'une cellule de mémoire du second réseau sur la base de la première tension de référence.