SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMICALLY BIASING OSCILLATORS FOR OPTIMUM PHASE NOISE
Systems and methods for biasing frequency oscillators to minimize phase noise are disclosed. The system may comprise a tank circuit having an inductor, at least a first coupling capacitor and a second coupling capacitor. The system may further comprise a varactor circuit electrically connected to th...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Systems and methods for biasing frequency oscillators to minimize phase noise are disclosed. The system may comprise a tank circuit having an inductor, at least a first coupling capacitor and a second coupling capacitor. The system may further comprise a varactor circuit electrically connected to the first coupling capacitor and the second coupling capacitor. The system may further comprise at least one first metal oxide semiconductor (MOS) device electrically connected in shunt with the tank circuit and a bias voltage. The at least one first MOS device may be electrically connected to a first gate bias voltage configured to bias the at least one first MOS device such that a first gate-to-source voltage of the at least one first MOS device remains below the first threshold voltage.
L'invention concerne des systèmes et des procédés de polarisation d'oscillateurs de fréquence pour réduire au maximum un bruit de phase. Le système peut comprendre un circuit bouchon comprenant un inducteur, au moins un premier condensateur de couplage et un second condensateur de couplage. Le système peut également comprendre un circuit varactor connecté électriquement au premier condensateur de couplage et au second condensateur de couplage. Le système peut comprendre en outre au moins un premier dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) connecté électriquement en shunt avec le circuit bouchon et une tension de polarisation. Le ou les premiers dispositifs MOS peuvent être connectés électriquement à une première tension de polarisation de grille configurée pour polariser le ou les premiers dispositifs MOS de sorte qu'une première tension grille-source du ou des premiers dispositifs MOS se maintienne en dessous de la première tension de seuil. |
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