BEAM PROFILING SPEED ENHANCEMENT FOR SCANNED BEAM IMPLANTERS

An ion implantation system and method are provided where an ion beam is tuned to a first process recipe. The ion beam is scanned along a scan plane at a first frequency, defining a first scanned ion beam. A beam profiling apparatus is translated through the first scanned ion beam and one or more properties of the first scanned ion beam are measured across a width of the first scanned ion, thus defining a first beam profile associated with the first scanned ion beam. The ion beam is then scanned at a second frequency, thus defining a second scanned ion beam, wherein the second frequency is less than the first frequency. A second beam profile associated with the second scanned ion beam is determined based, at least in part, on the first beam profile. Ions are subsequently implanted into a workpiece via the second scanned ion beam. Cette invention concerne un système et un procédé d'implantation d'ions permettant d'accorder un faisceau d'ions à une première recette de traitement. Le faisceau d'ions est balayé le long d'un plan de balayage à une première fréquence, définissant un premier faisceau d'ions balayé. Un appareil de profilage de faisceau est amené à effectuer une translation à travers le premier faisceau d'ions balayé et une ou plusieurs propriété(s) du premier faisceau d'ions balayé est/sont mesurée(s) à travers une largeur du premier ion balayé, définissant ainsi un premier profil de faisceau associé au premier faisceau d'ions balayé. Le faisceau d'ions est alors balayé à une seconde fréquence, définissant ainsi un second faisceau d'ions balayé, ladite seconde fréquence étant inférieure à la première fréquence. Un second profil de faisceau associé au second faisceau d'ions balayé est déterminé, au moins en partie sur la base du premier profil de faisceau. Les ions sont implantés par la suite dans une pièce de fabrication par l'intermédiaire du second faisceau d'ions balayé.