PASSIVATION OF METALLIC IMPURITIES IN A SINGLE CRYSTALLINE REGION BY HYDROGENATION

Substrate comprising at least a single-crystalline silicon region having a thickness between two opposite faces, characterized in that said region has, in a vertical cross-section plan, a hydrogen rich zone which extends from at least a surface of one of the two opposite faces, in the vertical direction over at least 50 % of the thickness of said single crystalline region, and in which the average dislocation density is greater than or equal to 103 cm-2, and characterized in that a part of the surface of one of the two opposite faces of the said region facing to the hydrogen rich zone comprises strain high areas separated by a strain low area, the distance between two successive strain high areas being comprised between 5 μm and 50% of said thickness of said single crystalline silicon region. L'invention concerne un substrat comportant au moins un région monocristalline de silicium présentant une épaisseur entre deux faces opposées, caractérisé en ce que ladite région comprend, dans un plan de coupe vertical, une zone riche en hydrogène qui s'étend à partir d'au moins une surface de l'une des deux faces opposées, dans la direction verticale sur au moins 50% de l'épaisseur de ladite région monocristalline, et dans laquelle la densité moyenne de dislocation est supérieure ou égale à 103 cm-2, et caractérisé en ce qu'une partie de la surface de l'une des deux faces opposées de ladite région faisant face à la zone riche en hydrogène comporte des zones à grande déformation séparées par une zone à faible déformation, la distance entre deux zones successives à grande déformation étant comprise entre 5 μm et 50% de ladite épaisseur de ladite région monocristalline de silicium.