A FINFET TRANSISTOR

A semiconductor device includes a semiconductor substrate having isolation regions formed therein and a fin-shaped semiconductor structure protruding vertically above the isolation regions and extending laterally in a first direction. The device additionally includes a gate dielectric wrapping a channel region of the fin-shaped semiconductor structure and a gate electrode wrapping the gate dielectric. The channel region is interposed in the first direction between a source region and a drain region and has sloped sidewalls and a width that continuously decreases from a base towards a peak of the channel region. The channel region comprises a volume inversion region having a height greater than about 25% of a total height of the channel region. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend un substrat semi-conducteur ayant des régions d'isolation formées en son sein et une structure semi-conductrice en forme d'ailette faisant saillie verticalement au-dessus des régions d'isolation et s'étendant latéralement dans une première direction. Le dispositif comprend en outre un diélectrique de grille enveloppant une région de canal de la structure semi-conductrice en forme d'ailette et une électrode de grille enveloppant le diélectrique de grille. La région de canal est intercalée dans la première direction entre une région de source et une région de drain et présente des parois inclinées et une largeur qui diminue de façon continue à partir d'une base vers un pic de la région de canal. La région de canal comprend une région d'inversion de volume ayant une hauteur supérieure à environ 25 % de la hauteur totale de la région de canal.