LASER NANOSTRUCTURING AND MICROSTRUCTURING OF SILICON USING A LASER-INDUCED PLASMA FOR THE PROCESSING OF THE PROCESSING LASER BEAM

Laser nanostructuring and microstructuring of silicon using a laser-induced plasma for the processing of the processing laser beam. The method according to the invention is characterised in that it comprises a step of ablation wherein a first, ablation pulsed laser beam is directed, with a fluence in the range of 10 - 100 J·cm-2, onto the surface of a metal sample generating a laser-induced plasma, and a processing step wherein a second, processing pulsed laser beam, is directed, with a fluence of 0,3 Jcm-2, delayed by between 0.1 and 1 microseconds in relation to the ablation laser beam, onto a silicon surface close to the laser-induced plaza such that said second laser beam passes through said plasma perpendicularly to the plasma expansion axis. Nano- y micro-estructuración de silicio con láser usando un plasma inducido por láser para el tratamiento del haz láser de procesado. El método objeto de la invención se caracteriza por que comprende una etapa de ablación, en la que se hace incidir un primer haz de láser pulsado, de ablación, con un fluencia en el rango 10 - 100 J·cm-2, sobre la superficie de una muestra metálica generando un plasma inducido por láser; y una etapa de procesamiento, en la que se hace incidir un segundo haz de láser pulsado, de procesado, con una fluencia de 0,3 Jcm-2, retardado respecto al haz de láser de ablación, entre 0,1 y 1 microsegundos, sobre una superficie de silicio próxima al plasma inducido por láser de forma que dicho segundo haz láser atraviese dicho plasma perpendicularmente respecto al eje de expansión del plasma. L'invention concerne la nano-structuration et la micro-structuration de silicium par laser avec utilisation d'un plasma induit par laser pour le traitement du faisceau laser de traitement. Le procédé selon l'invention se caractérise en ce qu'il comprend une étape d'ablation dans laquelle un premier faisceau laser pulsé d'ablation présentant une fluence comprise entre 10 et 100 J·cm-2 est dirigé de manière à être incident sur la surface d'un échantillon métallique, générant un plasma induit par laser ; et une étape de traitement dans laquelle un second faisceau laser pulsé de traitement présentant une fluence de 0,3 J·cm-2, retardé de 0,1 à 1 microseconde par rapport au faisceau laser d'ablation, est dirigé de manière à être incident sur une surface de silicium voisine du plasma induit par laser, de manière que ledit second faisceau traverse ledit plasma perpendiculairement à l'axe d'expansion du plasma.