LASER DOPING METHOD AND DEVICE FOR CARRYING OUT SAME

The invention relates to technology for manufacturing semiconductor devices, including solar photoelectric elements. The essence of the invention consists in a method for laser impurity doping in the surface layer of a semiconductive material, the method consisting in the simultaneous action of two pulses of optical radiation from sources of identical or different wavelength ranges. The density of the radiation energy from the first source is selected to be insufficient for starting the impurity doping process, while the density of the energy from the second laser source is selected to be sufficient for starting the impurity doping process when irradiating the material surface with radiation from the first source. The technical result of the invention consists in reducing the length of the technological cycle when carrying out doping, and also in the production of a semiconductor plate with a high surface concentration of doping impurity and a high gradient of change in the concentration at a specified depth by treating a large surface of the plate with each pulse of laser radiation. L'invention concerne une technologie de fabrication d'instruments semi-conducteurs et notamment d'éléments photoélectriques solaires. L'invention consiste en un procédé de dopage au laser d'une impureté dans la couche de surface d'un matériau semi-conducteur, qui consiste à agir simultanément avec deux impulsions de rayonnement optique provenant de sources de gammes de longueurs d'ondes identiques ou différentes. La densité d'énergie du rayonnement de la première source choisie est insuffisante pour lancer le processus de dopage de l'impureté, et la densité d'énergie de la deuxième source laser est suffisante pour lancer le processus de dopage de l'impureté lors de l'irradiation de la surface du matériau avec le rayonnement de la première source. Le résultat technique consiste en une réduction de la durée du cycle technologique lors du dopage et l'obtention d'une plaquette de semi-conducteur à concentration de dopage élevée et un gradient de variation concentration élevé à une profondeur voulue grâce au traitement par chaque impulsion laser d'une vaste surface de la plaquette. Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в том числе солнечных фотоэлектрических элементов. Сущность изобретения заключается в способе лазерного легирования примеси в поверхностный слой полупроводникового материала, заключающийся в одновременном воздействии двух импул