SPIN SEEBECK THERMOELECTRIC DEVICE AND ITS USES

The present invention relates to a thermoelectric device which comprises: a layer of a non-magnetic material (NM) disposed over a layer of a magnetic material (F), wherein said layers form a first bi-layer junction (NM1/F1) of materials having spin Seebeck effect properties; and at least one second...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: RAMOS AMIGO, RAFAEL ENRIQUE, ALGARABEL LAFUENTE, PEDRO, MAEKAWA, SADAMICHI, LUCAS, IRENE, SAITO, EIJI, UCHIDA, KENICHI, IBARRA GARCIA, MANUEL RICARDO, ANADÓN BARCELONA, ALBERTO, MORELLÓN ALQUÉZAR, LUIS, KIKKAWA, TAKASHI, ADACHI, HIROTO, AGUIRRE, MYRIAM HAYDEE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention relates to a thermoelectric device which comprises: a layer of a non-magnetic material (NM) disposed over a layer of a magnetic material (F), wherein said layers form a first bi-layer junction (NM1/F1) of materials having spin Seebeck effect properties; and at least one second bi-layer junction of non-magnetic and magnetic materials (NM2/F2) having spin current transmission properties; wherein the second bi-layer junction (NM2/F2) is arranged to form, together with the first bi-layer junction (NM1/F1), a multilayer structure of materials having an amplified spin Seebeck effect compared to that of the first bi-layer junction (NM1/F1) alone. An optimized device can be obtained by stacking sequences of these bi-layers in a multilayered structure n×(NM/F). The invention provides improved spin Seebeck thermoelectric devices, through a novel arrangement of materials which provide a substantial amplification of the spin pumped currents within the multilayer structure, thus generating enhanced voltage signals compared to those present in the prior art. La présente invention concerne un dispositif thermoélectrique qui comprend: une couche d'un matériau non magnétique (NM) placée au-dessus d'une couche d'un matériau magnétique (F), dans lequel lesdites couches forment une première jonction bicouche (NM1/F1) de matériaux ayant des propriétés d'effet de spin Seebeck; et au moins une deuxième jonction bicouche de matériaux non-magnétique et magnétique (NM2/F2) ayant des propriétés de transmission de courant à effet de spin; la seconde jonction bicouche (NM2/F2) est agencée de manière à former, conjointement avec la première jonction bicouche (NM1/F1), une structure multicouche de matériaux ayant un effet de spin Seebeck amplifié par rapport à celui de la seule première jonction bicouche (NM1/F1). Un dispositif optimisé peut être obtenu par empilement de séquences de ces bicouches dans une structure multicouche n × (NM/F). L'invention concerne des dispositifs thermoélectriques à effet de spin Seebeck améliorés, ceci grâc à un nouvel agencement de matériaux qui assurent une amplification importante des courants pompés à effet de spin à l'intérieur de la structure multicouche, ce qui permet de générer des signaux de tension améliorés par rapport à ceux de l'art antérieur.