FILM STRESS UNIFORMITY CONTROL BY RF COUPLING AND WAFER MOUNT WITH ADAPTED RF COUPLING
A fixture or clamp for a wafer in a vacuum treatment system comprises a non-conductive body with a first plane surface for arranging a substrate (wafer) thereon and a second surface opposite to said first surface. Said body includes a plurality of electrode-pairs; each electrode pair comprising a fi...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | A fixture or clamp for a wafer in a vacuum treatment system comprises a non-conductive body with a first plane surface for arranging a substrate (wafer) thereon and a second surface opposite to said first surface. Said body includes a plurality of electrode-pairs; each electrode pair comprising a first electrode with a first electrode surface and a second electrode with a second electrode surface, said electrode surfaces interconnected via a conductive means and arranged essentially in parallel to said first and second surface, said first electrode located closer to said first surface than said second electrode and said second, electrode located closer to said second surface than said first electrode. Such a body influences can be used the RF coupling between wafer and pedestal on RF potential to achieve a uniform film stress profile/distribution during film deposition or other substrate treatment.
Un dispositif de fixation ou de serrage pour une plaquette dans un système de traitement sous vide comprend un corps non conducteur doté d'une première surface plane permettant d'agencer un substrat (plaquette) sur celle-ci et d'une seconde surface opposée à ladite première surface. Ledit corps comprend une pluralité de paires d'électrodes; chaque paire d'électrodes comprenant une première électrode dotée d'une première surface d'électrode et une seconde électrode dotée d'une seconde surface d'électrode, lesdites surfaces d'électrode étant interconnectées par l'intermédiaire d'un moyen conducteur et agencées essentiellement en parallèle à ladite première et à ladite seconde surface, ladite première électrode étant située plus près de ladite première surface que ladite seconde électrode et ladite seconde électrode étant située plus près de ladite seconde surface que ladite première électrode. L'influence d'un tel corps peut être utilisée lors du couplage RF entre une plaquette et un socle sur le potentiel RF pour obtenir un profil/une distribution de contrainte de film uniforme pendant le dépôt de film ou autre traitement de substrat. |
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