EUV LITHOGRAPHY SYSTEM AND OPERATING METHOD

Die Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem (1), umfassend: mindestens ein optisches Element (13, 14) mit einer optischen Oberfläche (13a, 14a), die in einer Vakuum-Umgebung (17) des EUV-Lithographiesystems (1) angeordnet ist, sowie eine Zuführungseinrichtung (27) zur Zuführung von Wasserstoff...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	OSORIO, EDGAR, SCHMIDT, STEFAN-WOLFGANG, TE SLIGTE, EDWIN, LOGTENBERG, HELLA, ZELLENRATH, MARK, EHM, DIRK HEINRICH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR CINEMATOGRAPHY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein EUV-Lithographiesystem (1), umfassend: mindestens ein optisches Element (13, 14) mit einer optischen Oberfläche (13a, 14a), die in einer Vakuum-Umgebung (17) des EUV-Lithographiesystems (1) angeordnet ist, sowie eine Zuführungseinrichtung (27) zur Zuführung von Wasserstoff in die Vakuum-Umgebung (17), in der mindestens eine Silizium enthaltende Oberfläche (29a) angeordnet ist. Die Zuführungseinrichtung (27) ist zur zusätzlichen Zuführung eines Sauerstoff enthaltenden Gases in die Vakuum- Umgebung (17) ausgebildet und weist eine Dosiereinrichtung (28) zur Einstellung eines Sauerstoff-Partialdrucks (P02) an der mindestens einen Silizium enthaltenden Oberfläche (29a) und/oder an der optischen Oberfläche (13a, 14a) auf. The invention relates to an EUV lithography system (1) comprising: at least one optical element (13, 14) having an optical surface (13a, 14a) arranged in a vacuum environment (17) of the EUV lithography system (1); and a supply device (27) for supplying hydrogen into the vacuum environment (17), in which at least one surface (29a) containing silicon is arranged. The supply device (27) is designed to also supply a gas containing oxygen into the vacuum environment (17), and has a dosing device (28) for setting an oxygen partial pressure (P02) at the at least one surface (29a) containing silicon and/or at the optical surface (13a, 14a). L'invention concerne un système de lithographie par ultraviolets extrêmes (1) comportant : au moins un élément optique (13, 14) doté d'une surface optique (13a, 14a) qui est disposée dans un environnement sous vide (17) du système de lithographie par ultraviolets extrêmes (1), ainsi qu'un système d'admission (27) pour introduire de l'hydrogène dans l'environnement sous vide (17) dans lequel est disposée au moins une surface contenant du silicium (29a). Le système d'admission (27) est réalisé pour introduire en plus un gaz contenant de l'oxygène dans l'environnement sous vide (17) et comporte un système de dosage (28) pour le réglage d'une pression partielle d'oxygène (P02) sur la ou les surfaces contenant du silicium (29a) et/ou sur la surface optique (13a, 14a).