SURFACE PHOTOVOLTAGE CALIBRATION STANDARD

A method of preparing an iron-implanted semiconductor wafer for use in surface photovoltage iron mapping and other evaluation techniques. A semiconductor wafer is implanted with iron through the at least two different regions of the front surface of the semiconductor at different iron implantation densities, and the iron-implanted semiconductor wafer is annealed at a temperature and duration sufficient to diffuse implanted iron into the bulk region of the semiconductor wafer. L'invention concerne un procédé de préparation d'une tranche de semi-conducteur à implantation de fer destinée à être utilisée dans une cartographie du fer de phototension de surface et d'autres techniques d'évaluation. L'invention concerne une tranche de semi-conducteur à implantation de fer par l'intermédiaire d'au moins deux zones différentes de la surface avant du semi-conducteur au niveau de différentes densités d'implantation de fer, la tranche de semi-conducteur à implantation de fer étant soumise à un recuit à une température et pendant une durée suffisantes pour diffuser le fer implanté dans la zone volumineuse de la tranche de semi-conducteur.