SPUTTERING TARGET STRUCTURE AND SPUTTERING TARGET STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

The present invention reduces particles. This sputtering target structure is provided with a sputtering target, and a backing plate that holds the sputtering target. The surface of the sputtering target and/or the surface of the backing plate is provided with a region including a plurality of recesses having an average diameter of 50-300 μm, and an average depth of 5-30 μm. The arithmetic average roughness Ra of the surface of the region including the recesses is 10-20 μm. La présente invention réduit des particules. L'invention concerne une structure de cible de pulvérisation cathodique, pourvue d'une cible de pulvérisation cathodique et d'une plaque de support qui maintient la cible de pulvérisation cathodique. La surface de la cible de pulvérisation cathodique et/ou la surface de la plaque de support sont dotées d'une zone comprenant une pluralité de creux ayant un diamètre moyen de 50 à 300 µm et une profondeur moyenne de 5 à 30 µm. La rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface de la zone comprenant les creux est de 10 à 20 µm. パーティクルを低減する。スパッタリングターゲット構造体は、スパッタリングターゲットと、スパッタリングターゲットを保持するバッキングプレートと、を具備する。スパッタリングターゲットの表面およびバッキングプレートの表面の少なくとも一つの表面は、５０μｍ以上３００μｍ以下の平均直径と５μｍ以上３０μｍ以下の平均深さとを有する複数の凹みを含む領域を備える。複数の凹みを含む領域の表面の算術平均粗さＲａは１０μｍ以上２０μｍ以下である。