SUPPORT FOR IMPROVED THROUGHPUT IN A MEMORY DEVICE

A method of controlling a memory device can include: (i) receiving a first read command for a critical byte, where the critical byte resides in a first group of a memory array on the memory device; (ii) reading the critical byte from the memory array in response to the first read command, and providing the critical byte; (iii) reading a next byte in the first group; (iv) outputting the next byte from the first group when a clock pulse; (v) repeating the reading the next byte and the outputting the next byte for each byte in the first group; (vi) reading a first byte in a second group of the memory array, where the second group is sequential to the first group, and where each group is allocated to a cache line; and (vii) outputting the first byte from the second group when a clock pulse is received. L'invention concerne un procédé de commande d'un dispositif de mémoire pouvant consister à : (i) recevoir une première instruction de lecture pour un octet critique, l'octet critique résidant dans un premier groupe d'une matrice mémoire sur le dispositif de mémoire ; (ii) lire l'octet critique dans la matrice mémoire en réponse à la première commande de lecture, et fournir l'octet critique ; (iii) lire un octet suivant dans le premier groupe ; (iv) fournir en sortie l'octet suivant dans le premier groupe lors d'une impulsion d'horloge ; (v) répéter la lecture de l'octet suivant et la fourniture en sortie de l'octet suivant pour chaque octet dans le premier groupe ; (vi) lire un premier octet dans un second groupe de la matrice mémoire, le second groupe étant séquentiel par rapport au premier groupe, et chaque groupe étant attribué à une ligne de cache ; et (vii) fournir en sortie le premier octet du second groupe lorsqu'une impulsion d'horloge est reçue.