SAPPHIRE SUBSTRATE POLISHING AGENT COMPOSITION

Provided is a sapphire substrate polishing agent composition with which a high-precision polished surface free from surface defects such as scratches can be obtained at a high polishing speed. The sapphire substrate polishing agent composition contains, as components, inorganic polishing particles,...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HORIMOTO SANAKI, YAMAGUCHI YOSHINOBU, NAITO KENJI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a sapphire substrate polishing agent composition with which a high-precision polished surface free from surface defects such as scratches can be obtained at a high polishing speed. The sapphire substrate polishing agent composition contains, as components, inorganic polishing particles, a polishing accelerator, and water. The inorganic polishing particles are alumina particles, the polishing accelerator is an organic carboxylic acid-based chelating compound, and the pH is 9.0-13.0. L'invention concerne une composition d'agent de polissage de substrat de saphir avec laquelle une surface polie à haute précision exempte de défauts de surface tels que des rayures peut être obtenue à une vitesse de polissage élevée. La composition d'agent de polissage de substrat de saphir contient, en tant que composants, des particules de polissage inorganiques, un accélérateur de polissage, et de l'eau. Les particules de polissage inorganiques sont des particules d'alumine, l'accélérateur de polissage est un composé de chélation à base d'acide carboxylique organique, et le pH est de 9,0 à 13,0.  スクラッチ等の表面欠陥がなく、高い研磨速度で且つ高精度の研磨面が得られるサファイア基板用研磨剤組成物を提供する。 成分として、無機研磨材粒子と、研磨促進剤と、水とを含有する。無機研磨材粒子は、アルミナ粒子であり、研磨促進剤は、有機カルボン酸系キレート性化合物であり、pHは、9.0~13.0である。