ELECTRONIC COMPONENT AND RESIN MOLDED ELECTRONIC COMPONENT DEVICE
Provided are: an electronic component which is not susceptible to deterioration due to deformation of a cover member, and the like; and a resin molded electronic component device which comprises this electronic component. An IDT electrode 3 that serves as a function electrode is formed on a piezoele...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | Provided are: an electronic component which is not susceptible to deterioration due to deformation of a cover member, and the like; and a resin molded electronic component device which comprises this electronic component. An IDT electrode 3 that serves as a function electrode is formed on a piezoelectric substrate 2 that serves as a base. A support layer 5 is formed on the piezoelectric substrate 2 in order to form a hollow part 4 to which the IDT electrode 3 faces. The support layer 5 comprises a resin support layer part 5a and a reinforcing metal layer 5b that has a larger thickness than the resin support layer part 5a. A cover member 7 is provided so as to seal the opening of the support layer 5.
L'invention concerne : un composant électronique qui n'est pas susceptible d'être détérioré par la déformation d'un élément de couverture ou autre ; et un dispositif à composant électronique moulé en résine qui comprend ce composant électronique. Une électrode IDT 3 qui sert d'électrode de fonction est formée sur un substrat piézoélectrique 2 qui sert de base. Une couche de support 5 est formée sur le substrat piézoélectrique 2 afin de former une partie creuse 4 à laquelle l'électrode IDT 3 fait face. La couche de support 5 comprend une partie de couche de support en résine 5a et une couche métallique de renfort 5b qui a une épaisseur supérieure à celle de la partie de couche de support en résine 5a. Un élément de couverture 7 est disposé de manière à fermer de façon étanche l'ouverture de la couche de support 5.
カバー部材の変形による劣化等が生じ難い、電子部品及び該電子部品を有する樹脂モールド型電子部品装置を提供する。 基板としての圧電基板2上に、機能電極としてのIDT電極3が形成されている。IDT電極3が臨む中空部4を形成するために、支持層5が圧電基板2上に形成されている。支持層5は、樹脂支持層部5aと、樹脂支持層部5aよりも厚みが厚い補強金属層5bとを有する。支持層5の開口部を封止するようにカバー部材7が設けられている。 |
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