METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A THIN SEMICONDUCTOR WAFER

A method for manufacturing a vertical power semiconductor device is provided, wherein a first impurity is provided at the first main side (103) of a semiconductor wafer (101). A first oxide layer (112) is formed on the first main side (103) of the wafer (101), wherein the first oxide layer (112) is partially doped with a second impurity in such way that any first portion of the first oxide layer (112) which is doped with the second impurity is spaced away from the semiconductor wafer by a second portion of the first oxide layer (112) which is not doped with the second impurity and which is disposed between the first portion of the first oxide layer (112) and the first main side (103) of the semiconductor wafer (101). Thereafter a carrier wafer (115) is bonded to the first oxide layer (112). During front-end-of-line processing on the second main side (102) of the semiconductor wafer (101), the second impurity is diffused from the first oxide layer (112) into the semiconductor wafer (101) from its first main side (103) by heat generated during the front-end-of-line processing. La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur de puissance vertical, une première impureté étant fournie au niveau du premier côté principal (103) d'une tranche de semi-conducteur (101). Une première couche d'oxyde (112) est formée sur le premier côté principal (103) de la tranche (101), la première couche d'oxyde (112) étant partiellement dopée avec une seconde impureté de telle sorte qu'une quelconque première partie de la première couche d'oxyde (112) qui est dopée avec la seconde impureté est espacée de la tranche de semi-conducteur par une seconde partie de la première couche d'oxyde (112) qui n'est pas dopée avec la seconde impureté et qui est disposée entre la première partie de la première couche d'oxyde (112) et le premier côté principal (103) de la tranche de semi-conducteur (101). Par la suite, une tranche de support (115) est liée à la première couche d'oxyde (112). Pendant un traitement d'intégration avant métallisation sur le second côté principal (102) de la tranche de semi-conducteur (101), la seconde impureté diffuse depuis la première couche d'oxyde (112) dans la tranche de semi-conducteur (101) depuis son premier côté principal (103) par la chaleur générée pendant le traitement d'intégration avant métallisation.