HEAT DISSIPATION COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT

[Problem] To provide a heat dissipation component for a semiconductor element, said component being endowed with high thermal conductivity and a coefficient of thermal expansion approximating that of the semiconductor element, and said component not experiencing swelling or cracking under conditions of actual use. [Solution] Provided is a heat dissipation component for a semiconductor element, said component characterized in being equipped with a composite part that contains 50-80 vol% of diamond powder, the particle diameter volumetric distribution thereof having a first peak at 5-25 μm and a second peak at 55-195 μm, the ratio of the area of the 1-35 μm particle diameter volumetric distribution and the 45-205 μm particle diameter volumetric distribution being 1:9 to 4:6, the balance of the composite part comprising an aluminum-containing metal, both principal surfaces of the composite part being provided with a surface layer containing at least 80% by volume of an aluminum-containing metal and measuring 0.03-0.2 mm in thickness, and at least one of the surface layers being further provided with (1) a crystalline Ni layer measuring 0.5-6.5 μm in thickness, and (2) an Au layer measuring 0.05 μm or more in thickness. L'invention vise à produire un composant de dissipation de chaleur pour un élément semi-conducteur, lequel composant présente une conductivité thermique élevée et un coefficient de dilatation thermique approchant celui de l'élément semi-conducteur, et ne subit pas de gonflement ou de fissuration dans des conditions d'utilisation réelles. La solution proposée par l'invention concerne un composant de dissipation de chaleur pour un élément semi-conducteur, ledit composant étant caractérisé en ce qu'il est pourvu d'une partie composite qui contient 50 à 80 % en volume de poudre de diamant, laquelle présente une distribution granulométrique en volume comportant un premier pic de 5 à 25 µm et un second pic de 55 à 195 µm, le rapport de la zone de distribution granulométrique en volume de 1 à 35 μm à celle de la distribution granulométrique en volume de 45 à 205 μm étant compris entre 1:9 et 4:6, le reste de la partie composite comprenant un métal contenant de l'aluminium, les deux surfaces principales de la partie composite étant pourvues d'une couche superficielle contenant au moins 80 % en volume d'un métal contenant de l'aluminium et mesurant de 0,03 à 0,2 mm en épaisseur, et au moins une des couches superficielles étant en outre dotée (1) d'une c