CONDUCTIVE LAYERED STRUCTURE AND METHODS OF MAKING SAME

A device including a transparent or semitransparent substrate and at least one layered structure disposed on a first major surface of the substrate is described. The layered structure includes a first ITO layer on the substrate, a silicon dioxide layer on the first ITO layer opposite the substrate, and a second ITO layer on the silicon dioxide layer opposite the first ITO layer. The silicon dioxide layer includes an edge that is offset inwardly from an edge of the first ITO layer and from an edge of the second ITO layer. Methods of making the device are described. L'invention concerne un dispositif comprenant un substrat transparent ou semi-transparent et au moins une structure en couches disposée sur une première surface majeure du substrat. La structure en couches comprend une première couche ITO sur le substrat, une couche de dioxyde de silicium sur la première couche ITO opposée au substrat, et une seconde couche ITO sur la couche de dioxyde de silicium opposée à la première couche ITO. La couche de dioxyde de silicium comprend un bord qui est décalé vers l'intérieur à partir d'un bord de la première couche ITO et à partir d'un bord de la seconde couche ITO. L'invention concerne des procédés de fabrication du dispositif.