PATTERNING LAYER STACKS FOR ELECTRONIC DEVICES

There is provided a method of patterning a stack of layers defining one or more electronic device elements, comprising: creating a first thickness profile in an uppermost portion of the stack of layers by laser ablation; and etching the stack of layers to translate the first thickness profile into a second thickness profile at a lower level; wherein the etching reduces the thickness of said uppermost portion of the stack and one or more lower layers of the stack under said uppermost portion. L'invention concerne de modelage des contours d'un empilement de couches définissant un ou plusieurs éléments de dispositif électronique, comprenant les étapes suivantes : création d'un premier profil d'épaisseur dans une partie supérieure de l'empilement de couches par ablation au laser ; et gravure de l'empilement de couches afin de convertir le premier profil d'épaisseur en un deuxième profil d'épaisseur à un niveau inférieur. La gravure réduit l'épaisseur de ladite partie supérieure de l'empilement et d'une ou plusieurs couches inférieures de l'empilement sous ladite partie supérieure.