IMAGE SENSORS WITH ELECTRONIC SHUTTER

In various embodiments, an image sensor and related method are disclosed. In an embodiment, an image sensor includes an optically sensitive material, and a pixel circuit including a sense node in electrical communication with the optically sensitive material. The pixel circuit stores an electrical signal proportional to an intensity of light incident on the optically sensitive material during an integration period. The pixel circuit includes a differential transistor pair in electrical communication with the optically sensitive material. The differential transistor pair includes a first transistor and a second transistor, with the first transistor being disposed between the optically sensitive material and the sense node. The differential transistor pair steers current between the optically sensitive material and the sense node through the first transistor during the integration period and steers current through the second transistor after the integration period to discontinue integration of the electrical signal onto the sense node. Dans divers modes de réalisation, un capteur d'image et un procédé associé sont décrits. Dans un mode de réalisation, un capteur d'image comprend un matériau optiquement sensible, et un circuit de pixels comprenant un nœud de détection en communication électrique avec le matériau optiquement sensible. Le circuit de pixels stocke un signal électrique proportionnel à une intensité de lumière incidente sur le matériau optiquement sensible pendant une période d'intégration. Le circuit de pixels comprend une paire de transistors différentiels en communication électrique avec le matériau optiquement sensible. La paire de transistors différentiels comprend un premier et un second transistor, le premier transistor étant disposé entre le matériau optiquement sensible et le nœud de détection. La paire de transistors différentiels dirige le courant entre le matériau optiquement sensible et le nœud de détection à travers le premier transistor pendant la période d'intégration, et dirige le courant à travers le second transistor après la période d'intégration afin d'interrompre l'intégration du signal électrique sur le nœud de détection.