TECHNIQUES FOR FORMING INTEGRATED PASSIVE DEVICES

Techniques are disclosed for forming integrated passive devices, such as inductors and capacitors, using next-generation lithography (NGL) processes, such as electron-beam direct write (EBDW) and extreme ultraviolet lithography (EUVL). The techniques can be used to form various different integrated passive devices, such as inductors (e.g., spiral inductors) and capacitors (e.g., metal finger capacitors), having higher density, precision, and quality factor (Q) values than if such devices were formed using 193 nm photolithography. The high Q and dense passive devices formed can be used in radio frequency (RF) and analog circuits to boost the performance of such circuits. The increased precision may be realized based on an improvement in, for example, line edge roughness (LER), achievable resolution/critical dimensions, sharpness of corners, and/or density of the formed structures. L'invention concerne des techniques de formation de dispositifs passifs intégrés, par exemple des inductances et des condensateurs, au moyen de processus de lithographie de nouvelle génération (NGL), par exemple l'écriture directe par faisceau d'électrons (EBDW) et la lithographie aux ultraviolets extrêmes (EUVL). Les techniques peuvent servir à former différents dispositifs passifs intégrés, par exemple des inductances (par ex. inductances en spirale) et des condensateurs (par ex. condensateurs à doigts de métal), dont les valeurs de densité, de précision et de facteur de qualité (Q) sont plus élevées que si de tels dispositifs étaient fabriqués par photolithographie à 193 nm. Les dispositifs passifs à Q élevé et denses formés peuvent être utilisés dans les circuits à radiofréquence (RF) et les circuits analogiques pour accroître la performance de tels circuits. La précision accrue peut être réalisée sur la base d'une amélioration, par exemple, de la rugosité des arêtes linéaires (LER), des dimensions de résolution/critiques atteignables, de la netteté des coins, et/ou de la densité des structures formées.