NEW HIGH INDEX OXIDE FILMS AND METHODS FOR MAKING SAME
A method of preparing at least one layer of a multilayer dielectric (MLD) film stack by producing a sol from a mixture that comprises an epoxide and at least one precursor to a metal oxide, depositing the sol on a substrate, and preparing a metal oxide layer from the deposited sol. The mixture can a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A method of preparing at least one layer of a multilayer dielectric (MLD) film stack by producing a sol from a mixture that comprises an epoxide and at least one precursor to a metal oxide, depositing the sol on a substrate, and preparing a metal oxide layer from the deposited sol. The mixture can also include one or any combination of a solvent, water, a precursor to a glassforming oxide, at least one modifier, a cosolvent, or a porogen. Two or more layers of the film stack can be prepared in similar fashion using the same or different sols.
L'invention porte sur un procédé de préparation d'au moins une couche d'un empilement de films diélectriques multicouches (MLD) qui consiste à produire un sol à partir d'un mélange qui comporte un époxyde et au moins un précurseur d'un oxyde métallique, à déposer le sol sur un substrat et à préparer une couche d'oxyde métallique à partir du sol déposé. Le mélange peut également comprendre un solvant, de l'eau, un précurseur d'un oxyde de formation de verre, au moins un modificateur, un co-solvant ou un porogène ou n'importe quelle combinaison de ceux-ci. Plusieurs couches de l'empilement de films peuvent être préparées d'une façon similaire à l'aide du même sol ou de sols différents. |
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