OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), einer Halbleiterschicht (21) und einer weiteren Halbleiterschicht (22) aufweist, angegeben, wobei der aktive Bereich zwischen der Halbleiterschicht und der weiteren Halbleiterschicht angeordnet ist; auf einer Strahlungsaustrittsfläche (210) des Halbleiterkörpers eine Stromaufweitungsschicht angeordnet ist; die Stromaufweitungsschicht elektrisch leitend mit einer Kontaktstruktur (4) für die externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterschicht verbunden ist; die Stromaufweitungsschicht in Draufsicht auf das Halbleiterbauelement in einem Anschlussbereich (30) an die Halbleiterschicht angrenzt, und die Stromaufweitungsschicht eine Strukturierung (31) mit einer Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, durch die im Betrieb Strahlung aus dem Halbleiterbauelement austritt. Disclosed is an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (2) that has a sequence of semiconductor layers including an active region (20) provided for generating radiation, a semiconductor layer (21) and another semiconductor layer (22); the active region is located between the semiconductor layer and the other semiconductor layer; a current spreading layer is disposed on a radiation exit surface (210) of the semiconductor body; the current spreading layer is connected in an electrically conducting manner to a contact structure (4) for electrically contacting the semiconductor layer externally; from a bird's eye view of the semiconductor component, the current spreading layer borders the semiconductor layer in a connecting region (30); and the current spreading layer has a structure (31) that includes a plurality of recesses (35) through which radiation exits the semiconductor component during operation. L'invention concerne un composant à semi-conducteur optoélectronique (1), comprenant un élément semi-conducteur (2) qui possède une succession de couches semi-conductrices pourvues d'une zone active (20) destinée à générer un rayonnement, une couche semi-conductrice (21) et une autre couche semi-conductrice (22). Selon l'invention : - la zone active est disposée entre la couche semi-conductrice (21) et l'autre couche semi-conductrice (22); - une couche d'étalement de courant est disposée sur une surface de sortie du rayonnement (210) de l'élément semi-conducteur; - la c