METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR HAVING GETTERING LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

This method for producing a semiconductor having a gettering layer comprises: a film formation step for forming an impurity-containing film on one surface of a semiconductor; and a melting step for melting the semiconductor surface layer by irradiating the semiconductor with laser light from the one surface side. Since the gettering layer is produced by forming a high impurity concentration region by doping the molten semiconductor with an impurity in the melting step, the semiconductor surface layer is able to be doped with the impurity at a high concentration. By doping the molten semiconductor with the impurity at a high concentration, a high impurity concentration region is able to be formed, thereby imparting the semiconductor surface layer with gettering ability. In addition, irradiation of laser light enables processing with a low thermal load. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un semi-conducteur présentant une couche de getter qui comprend : une étape de formation de film destinée à la formation d'un film contenant des impuretés sur une surface d'un semi-conducteur ; et une étape de fusion destinée à la fusion de la couche de surface du semi-conducteur par irradiation du semi-conducteur avec une lumière laser depuis le côté de la surface. Étant donné que la couche de getter est produite par formation d'une région à concentration d'impuretés élevée par dopage du semi-conducteur fondu avec une impureté dans l'étape de fusion, la couche de surface du semi-conducteur peut être dopée avec l'impureté à une concentration élevée. Par dopage du semi-conducteur fondu avec l'impureté à une concentration élevée, une région à concentration d'impuretés élevée peut être formée, ce qui permet de conférer à la couche de surface du semi-conducteur une capacité de getter. De plus, une irradiation de lumière laser permet le traitement avec une faible charge thermique. 半導体の一表面上に不純物含有膜を形成する膜形成工程と、前記一表面側から前記半導体にレーザ光を照射して前記半導体表層を溶融する溶融工程とを有し、前記溶融工程において、溶融した前記半導体中に不純物がドーピングされて不純物の高濃度領域を形成することで前記ゲッタリング層を形成するので、高濃度の不純物を半導体表層にドーピングでき、溶融した半導体中に不純物が高濃度にドーピングされることで、不純物の高濃度領域が形成され、半導体表層にゲッタリング能力を付与することができる。さらにレーザ光の照射によって、低熱負荷の処理が可能となる。