MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

A magnetic tunnel junction element and a manufacturing method therefor are provided. The magnetic tunnel junction element comprises: a seed layer having an FCC (001) crystal structure; a first ferromagnetic layer located on the seed layer and having perpendicular magnetic anisotropy; a tunneling barrier layer located on the first ferromagnetic layer; and a second ferromagnetic layer located on the tunneling barrier layer and having perpendicular magnetic anisotropy, wherein the first ferromagnetic layer has a BCC (001) crystal structure and does not include boron. Therefore, the magnetic tunnel junction element, which is more stable in terms of structure and heat, can be provided by using the seed layer for assisting the growth of crystals in a BCC (001) direction of a boron-free magnetic layer and for providing perpendicular magnetic anisotropy thereto, that is, W2N or TaN which is a nitrogen-doped metal material having a cubic crystal structure and having a similar lattice constant to that of a magnetic layer material. La présente invention concerne un élément de jonction à effet tunnel magnétique et un procédé de fabrication associé. L'élément de jonction à effet tunnel magnétique comprend : une couche de germe présentant une structure cristalline CFC (001) ; une première couche ferromagnétique qui est située sur la couche de germe et qui possède une anisotropie magnétique perpendiculaire ; une couche barrière à effet tunnel située sur la première couche ferromagnétique ; et une seconde couche ferromagnétique qui est située sur la couche barrière à effet tunnel et qui possède une anisotropie magnétique perpendiculaire, la première couche ferromagnétique possédant une structure cristalline BCC (001) et ne comprenant pas de bore. Ainsi, l'élément de jonction à effet tunnel magnétique, qui est plus stable en termes de structure et de chaleur, peut être proposé en utilisant la couche de germe pour aider la croissance de cristaux dans une direction BCC (001) d'une couche magnétique dépourvue de bore et pour fournir une anisotropie magnétique perpendiculaire à celle-ci, à savoir, W2N ou TaN qui est un matériau métallique dopé à l'azote qui possède une structure cristalline cubique et qui possède une constante de réseau similaire à celle d'un matériau de couche magnétique. 자기터널접합 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 자기터널접합 소자는 FCC (001) 결정 구조를 갖는 씨앗층, 상기 씨앗층 상에 위치하되, 수직자기이방성을 갖는 제1 강자성층, 상기 제1 강자성층 상에 위치하는 터널링 배리어층 및 상기 터널링 배리어층 상에 위치하되, 수직자기이방성을 갖는 제2 강자성층을 포함하고, 상기 제1 강자성층은 B