SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (1) is provided with: a first trench (611) that is formed in a surface of a semiconductor substrate (10); and a second trench (612), which is formed in the surface of the semiconductor substrate (10), and in a planar view of the surface of the semiconductor substrate (10), said second trench extending in the direction different from the direction in which the first trench (611) extends, and intersecting the first trench (611). Furthermore, the semiconductor device (1) is provided with: a gate insulating film (62), which covers the inner surfaces of the first trench (611) and the second trench (612), and an inner surface (301) of an intersecting section (30) of the first trench and the second trench; and a gate electrode (63), which is formed in the first trench (611) and the second trench (612), and which faces the semiconductor substrate (10) with the gate insulating film (62) therebetween. Furthermore, the semiconductor device (1) is also provided with an n-type emitter region (24), which is formed in the semiconductor substrate (10), is exposed from the surface of the semiconductor substrate (10), is in contact with the gate insulating film (62) in the first trench (611), and is not in contact with the gate insulating film (62) that is formed on the inner surface (301) of the intersecting section (30) of the first trench (611) and the second trench (612). L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) qui est pourvu : d'une première tranchée (611) qui est formée dans une surface d'un substrat semi-conducteur (10) ; et d'une seconde tranchée (612), qui est formée dans la surface du substrat semi-conducteur (10), et ladite seconde tranchée s'étendant, dans une vue en plan de la surface du substrat semi-conducteur (10), dans la direction différente de la direction dans laquelle la première tranchée (611) s'étend, et coupant la première tranchée (611). En outre, le dispositif à semi-conducteur (1) est pourvu : d'un film isolant de grille (62), qui recouvre les surfaces internes de la première tranchée (611) et de la seconde tranchée (612), et une surface interne (301) d'une section d'intersection (30) de la première tranchée et de la seconde tranchée ; et d'une électrode de grille (63), qui est formée dans la première tranchée (611) et la seconde tranchée (612), et qui fait face au substrat semi-conducteur (10), le film isolant de grille (62) étant disposé entre celles-ci. En outre, le dispositif à semi-conducteur (1) est ég