COOLING PEDESTAL FOR DICING TAPE THERMAL MANAGEMENT DURING PLASMA DICING

Methods of and apparatuses for dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described. In an example, a plasma etch chamber includes a plasma source disposed in an upper region of the plasma etch chamber. The plasma etch chamber also includes a cathode assembly disposed below the plasma source. The cathode assembly includes a cooling RF-powered chuck for supporting an inner portion of a backside of a substrate carrier. The cathode assembly also includes a cooling RF-isolated support surrounding but isolated from the RF-powered chuck. The RF-isolated support is for supporting an outer portion of the backside of the substrate carrier. L'invention concerne des procédés et des appareils consistant à découper en dés des plaquettes de semi-conducteur, chaque plaquette ayant une pluralité de circuits intégrés. Dans un exemple, une chambre de gravure par plasma comprend une source de plasma disposée dans une région supérieure de la chambre de gravure par plasma. La chambre de gravure par plasma comprend également un ensemble cathode disposé sous la source de plasma. L'ensemble cathode comprend un support alimenté par radiofréquence de refroidissement permettant de supporter une partie intérieure d'un côté arrière d'un support de substrat. L'ensemble cathodique comprend également un support isolé contre les radiofréquences de refroidissement entourant le support alimenté par radiofréquence mais isolé de ce dernier. Le support isolé contre les radiofréquences est destiné à supporter une partie extérieure du côté arrière du support de substrat.