ISOLATION METHODS FOR LEAKAGE, LOSS AND NON-LINEARITY MITIGATION IN RADIO-FREQUENCY INTEGRATED CIRCUITS

A radio frequency integrated circuit with a silicon-on-insulator substrate includes a buried oxide layer that is disposed over a silicon substrate. The silicon-on- insulator substrate has a silicon layer that is disposed over the buried oxide layer. The integrated circuit includes a transistor disposed on the silicon layer, and a guard-ring in the silicon-on-insulator substrate that surrounds the transistor on the silicon layer. Depletion regions on the silicon substrate corresponding to areas surrounding the transistor is defined by the application of a voltage to the guard-ring. Isolation of radio frequency transmission lines on silicon-on-insulator substrates is also possible with this configuration. L'invention concerne un circuit intégré radiofréquence, à substrat silicium sur isolant, qui comprend une couche d'oxyde enterrée qui est disposée au-dessus d'un substrat en silicium. Le substrat silicium sur isolant possède une couche de silicium qui est disposée au-dessus de la couche d'oxyde enterrée. Le circuit intégré comprend un transistor, disposé sur la couche de silicium, et un anneau de garde dans le substrat silicium sur isolant qui entoure le transistor sur la couche de silicium. Des zones d'appauvrissement sur le substrat en silicium correspondant à des zones entourant le transistor sont définies par application d'une tension à l'anneau de garde. Une isolation de lignes de transmission radiofréquence sur des substrats silicium sur isolant est également possible avec cette configuration.