MILLISECOND ANNEALING IN AMMONIA AMBIENT FOR PRECISE PLACEMENT OF NITROGEN IN THIN FILM STACKS

Embodiments of the present disclosure relate to methods for processing a substrate. In one embodiment, the method includes forming a dielectric layer over a substrate, wherein the dielectric layer has a dielectric value of about 3.9 or greater, heating the substrate to a first temperature of about 600 degrees Celsius or less by a lamp or a heater of a substrate support disposed within a process chamber, and incorporating nitrogen into the dielectric layer in the process chamber by annealing the dielectric layer at a second temperature between about 600 and about 1400 degrees Celsius in an ambient nitrogen environment, wherein the annealing is performed on the order of millisecond scale. Selon des modes de réalisation, la présente invention porte sur des procédés de traitement d'un substrat. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation d'une couche diélectrique sur un substrat, la couche diélectrique ayant une valeur diélectrique d'environ 3,9 ou plus, le chauffage du substrat à une première température d'environ 600 degrés Celsius au maximum par une lampe ou un dispositif de chauffage d'un support de substrat disposé à l'intérieur d'une chambre de traitement, et l'incorporation d'azote dans la couche diélectrique dans la chambre de traitement par recuit de la couche diélectrique à une seconde température entre environ 600 et 1 400 degrés Celsius dans un environnement d'azote ambiant, le recuit étant exécuté à l'ordre de l'échelle de la milliseconde.