SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Disclosed is a technique whereby, when ions are implanted into a semiconductor substrate after etching, and a diffusion layer is formed to produce semiconductor devices, it is possible to suppress the incidence of variation in characteristics among the semiconductor devices that have been manufactured. A semiconductor device (2) has a semiconductor substrate (10). Formed inside the semiconductor substrate (10) are an emitter region (12), a top body region (14), a barrier region (16), a bottom body region (18), a drift region (20), a corrector region (22), a trench (30), a gate-insulating film (32), and a gate electrode (34). The surface of the gate electrode (34) is provided at a location that is deeper than the surface of the semiconductor substrate (10). Within the gate electrode (34), the surface of a laterally central first portion (34a) of the trench (30) is provided at a location that is less deep than the surface of a second portion (34b) that is in contact with the gate-insulating film (32). L'invention concerne une technique selon laquelle, quand des ions sont implantés dans un substrat semi-conducteur après la gravure, et une couche de diffusion est formée pour produire des dispositifs semi-conducteurs, il est possible de supprimer l'incidence de variation des caractéristiques parmi les dispositifs semi-conducteurs qui ont été fabriqués. Un dispositif semi-conducteur (2) comporte un substrat semi-conducteur (10). Une zone d'émetteur (12), une zone de corps supérieure (14), une zone de barrière (16), une zone de corps inférieure (18), une zone de dérive (20), une zone de correcteur (22), une tranchée (30), une pellicule isolante de grille (32), et une électrode de grille (34) sont formées à l'intérieur du substrat semi-conducteur (10). La surface de l'électrode de grille (34) est disposée à une position qui est plus profonde que la surface du substrat semi-conducteur (10). À l'intérieur de l'électrode de grille (34), la surface d'une première partie latéralement centrale (34a) de la tranchée (30) est disposée à une position qui est moins profonde que la surface d'une seconde partie (34b) qui est en contact avec la pellicule isolante de grille (32). エッチング後に半導体基板にイオン注入して拡散層を形成することによって半導体装置が製造される場合に、製造される半導体装置間で特性のばらつきが生じることを抑制できる技術を開示する。半導体装置２は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０には、エミッタ領域１２、トップボディ領域１４、バリア領域１６、ボトムボディ領域１８、ドリフト領域２０、コレクタ領域２２、トレンチ３０、ゲート絶縁膜３２、及び、ゲート電極３４が形成されている。ゲート電極３４の表面は半導体基板１０の表面より深い位置に設けられている。ゲート電極３４のうち、トレンチ３０の幅方向中央の第１部分３４ａの表面は、ゲート絶縁膜３２に接する第２部分３４ｂの