FLUORINE-CONTAINING CONDUCTIVE FILMS

An atomic layer deposition (ALD) process for depositing a fluorine-containing thin film on a substrate can include a plurality of super-cycles. Each super-cycle may include a metal fluoride sub-cycle and a reducing sub-cycle. The metal fluoride sub-cycle may include contacting the substrate with a metal fluoride. The reducing sub-cycle may include alternately and sequentially contacting the substrate with a reducing agent and a nitrogen reactant. L'invention concerne un procédé de dépôt en couches atomiques (ALD) pour le dépôt d'un film mince contenant du fluor sur un substrat qui peut comprendre une pluralité de super-cycles. Chaque super-cycle peut comprendre un sous-cycle de fluorure métallique et un sous-cycle de réduction. Le sous-cycle de fluorure métallique peut consister à mettre en contact le substrat avec un fluorure métallique. Le sous-cycle de réduction peut comprendre la mise en contact alternative et séquentielle du substrat avec un agent réducteur et un réactif d'azote.