RECTIFICATION DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A rectification diode and a method for manufacturing the same are provided. The rectification diode comprises: an insulator layer including an insulator material; and a semiconductor layer located on the insulator layer and including an n-type Zno-based oxide semiconductor, wherein a rectification characteristic is exhibited between the insulator layer and the semiconductor layer. Thus, it is possible to provide a rectification diode having an improved electrical characteristic. Furthermore, when compared with conventional oxide diodes, the present invention offers a wider choice of materials since a P-type oxide semiconductor having many restrictions is replaced with the insulator layer. Thus, the range of adjusting electrical characteristic changes can also be extended. L'invention concerne une diode de redressement et son procédé de fabrication. La diode de redressement comprend : une couche d'isolant incluant un matériau d'isolant ; et une couche semi-conductrice située sur la couche d'isolant et incluant un semi-conducteur d'oxyde à base de ZnO de type n, une caractéristique de redressement étant présentée entre la couche d'isolant et la couche semi-conductrice. Ainsi, il est possible de réaliser une diode de redressement présentant une caractéristique électrique améliorée. En outre, en comparaison avec les diodes à oxyde classiques, la présente invention offre un plus grand choix de matériaux puisqu'un semi-conducteur d'oxyde de type p présentant de nombreuses restrictions est remplacé par la couche d'isolant. Ainsi, la plage de changements de caractéristique électrique de réglage peut aussi être étendue. 정류 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 정류 다이오드는 절연체 물질을 포함하는 절연체층 및 상기 절연체층 상에 위치하고, n형 ZnO 계열 산화물 반도체를 포함하는 반도체층을 포함하고, 상기 절연체층과 상기 반도체층 사이에서 정류특성을 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 향상된 전기적 특성을 갖는 정류 다이오드를 제공할 수 있다. 또한, 기존 산화물 다이오드와 비교하였을 때 많은 제약을 받는 P-type 산화물 반도체를 절연체층으로 대체함에 따라, 재료선택의 폭이 보다 넓어질 수 있다. 따라서, 전기적 특성 변화의 조절 범위 또한 넓힐 수 있다.