PLASMA CVD FILM-FORMING DEVICE
Provided is a plasma CVD film-forming device for preventing the occurrence of an abnormal discharge in a section where a substrate is not wrapped in a range where a film is formed in the axial direction of a film-forming roller. The plasma CVD film-forming device (10) is equipped with: a vacuum cham...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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| creator | OKIMOTO, TADAO KUROKAWA, YOSHINORI |
| description | Provided is a plasma CVD film-forming device for preventing the occurrence of an abnormal discharge in a section where a substrate is not wrapped in a range where a film is formed in the axial direction of a film-forming roller. The plasma CVD film-forming device (10) is equipped with: a vacuum chamber (1); a metal film-forming roller (2) having a band-like substrate wrapped around one section of the outer circumferential surface thereof in the circumferential direction; a magnetic-field generation unit (3) that generates a magnetic field outside the section of the film-forming roller (2) around which the substrate is wrapped, and is positioned inside the film-forming roller (2); a power source (4) that imparts, to the film-forming roller (2), an AC voltage for generating plasma inside the magnetic field region, and is connected to the film-forming roller (2); and an insulating section (9) that is formed from an insulating material and covers a range along the surface of the film-forming roller (2) including at least the region of the outer circumferential surface in the axial direction of the film-forming roller (2) where the magnetic-field generation unit (3) is positioned.
L'invention se rapporte à un dispositif de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, permettant d'empêcher l'apparition d'une décharge anormale dans une section où un substrat n'est pas enroulé dans une plage où un film est formé dans la direction axiale d'un rouleau de formation de film. Le dispositif de formation de film par CVD assisté par plasma (10) est pourvu de : une chambre à vide (1) ; un rouleau de formation de film métallique (2) comprenant un substrat en forme de bande enroulé autour d'une section de sa surface de circonférence externe dans la direction de la circonférence ; une unité de production de champ magnétique (3) pour la production d'un champ magnétique à l'extérieur de la section du rouleau de formation de film (2) autour de laquelle le substrat est enroulé et disposée à l'intérieur du rouleau de formation de film (2) ; une source de puissance (4) pour l'application au rouleau de formation de film (2) d'une tension alternative pour produire un plasma à l'intérieur de la région de champ magnétique et branchée au rouleau de formation de film (2) ; et une section isolante (9) qui comprend un matériau isolant et recouvre une plage le long de la surface du rouleau de formation de film (2) comprenant au moins la région dans la direc |
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L'invention se rapporte à un dispositif de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, permettant d'empêcher l'apparition d'une décharge anormale dans une section où un substrat n'est pas enroulé dans une plage où un film est formé dans la direction axiale d'un rouleau de formation de film. Le dispositif de formation de film par CVD assisté par plasma (10) est pourvu de : une chambre à vide (1) ; un rouleau de formation de film métallique (2) comprenant un substrat en forme de bande enroulé autour d'une section de sa surface de circonférence externe dans la direction de la circonférence ; une unité de production de champ magnétique (3) pour la production d'un champ magnétique à l'extérieur de la section du rouleau de formation de film (2) autour de laquelle le substrat est enroulé et disposée à l'intérieur du rouleau de formation de film (2) ; une source de puissance (4) pour l'application au rouleau de formation de film (2) d'une tension alternative pour produire un plasma à l'intérieur de la région de champ magnétique et branchée au rouleau de formation de film (2) ; et une section isolante (9) qui comprend un matériau isolant et recouvre une plage le long de la surface du rouleau de formation de film (2) comprenant au moins la région dans la direction axiale du rouleau de formation de film (2) de la surface de circonférence externe où l'unité de production de champ magnétique (3) est disposée.
成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。 プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空チャンバ１と、帯状の基材が外周面のうちの周方向の一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ２と、成膜ローラ２の内部に配置され、成膜ローラ２における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部３と、成膜ローラ２に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ２に印加する電源４と、絶縁材料からなり、成膜ローラ２の表面のうちの当該成膜ローラ２の軸方向において少なくとも前記外周面における磁場生成部３の配置領域の範囲を覆う絶縁部９とを備えている。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; PLASMA TECHNIQUE ; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS ; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20151008&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015151722A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20151008&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2015151722A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>OKIMOTO, TADAO</creatorcontrib><creatorcontrib>KUROKAWA, YOSHINORI</creatorcontrib><title>PLASMA CVD FILM-FORMING DEVICE</title><description>Provided is a plasma CVD film-forming device for preventing the occurrence of an abnormal discharge in a section where a substrate is not wrapped in a range where a film is formed in the axial direction of a film-forming roller. The plasma CVD film-forming device (10) is equipped with: a vacuum chamber (1); a metal film-forming roller (2) having a band-like substrate wrapped around one section of the outer circumferential surface thereof in the circumferential direction; a magnetic-field generation unit (3) that generates a magnetic field outside the section of the film-forming roller (2) around which the substrate is wrapped, and is positioned inside the film-forming roller (2); a power source (4) that imparts, to the film-forming roller (2), an AC voltage for generating plasma inside the magnetic field region, and is connected to the film-forming roller (2); and an insulating section (9) that is formed from an insulating material and covers a range along the surface of the film-forming roller (2) including at least the region of the outer circumferential surface in the axial direction of the film-forming roller (2) where the magnetic-field generation unit (3) is positioned.
L'invention se rapporte à un dispositif de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, permettant d'empêcher l'apparition d'une décharge anormale dans une section où un substrat n'est pas enroulé dans une plage où un film est formé dans la direction axiale d'un rouleau de formation de film. Le dispositif de formation de film par CVD assisté par plasma (10) est pourvu de : une chambre à vide (1) ; un rouleau de formation de film métallique (2) comprenant un substrat en forme de bande enroulé autour d'une section de sa surface de circonférence externe dans la direction de la circonférence ; une unité de production de champ magnétique (3) pour la production d'un champ magnétique à l'extérieur de la section du rouleau de formation de film (2) autour de laquelle le substrat est enroulé et disposée à l'intérieur du rouleau de formation de film (2) ; une source de puissance (4) pour l'application au rouleau de formation de film (2) d'une tension alternative pour produire un plasma à l'intérieur de la région de champ magnétique et branchée au rouleau de formation de film (2) ; et une section isolante (9) qui comprend un matériau isolant et recouvre une plage le long de la surface du rouleau de formation de film (2) comprenant au moins la région dans la direction axiale du rouleau de formation de film (2) de la surface de circonférence externe où l'unité de production de champ magnétique (3) est disposée.
成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。 プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空チャンバ１と、帯状の基材が外周面のうちの周方向の一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ２と、成膜ローラ２の内部に配置され、成膜ローラ２における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部３と、成膜ローラ２に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ２に印加する電源４と、絶縁材料からなり、成膜ローラ２の表面のうちの当該成膜ローラ２の軸方向において少なくとも前記外周面における磁場生成部３の配置領域の範囲を覆う絶縁部９とを備えている。</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PLASMA TECHNIQUE</subject><subject>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</subject><subject>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAL8HEM9nVUcA5zUXDz9PHVdfMP8vX0c1dwcQ3zdHblYWBNS8wpTuWF0twMym6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXx4f5GBoamQGhuZORoaEycKgAdLyH7</recordid><startdate>20151008</startdate><enddate>20151008</enddate><creator>OKIMOTO, TADAO</creator><creator>KUROKAWA, YOSHINORI</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20151008</creationdate><title>PLASMA CVD FILM-FORMING DEVICE</title><author>OKIMOTO, TADAO ; KUROKAWA, YOSHINORI</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2015151722A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PLASMA TECHNIQUE</topic><topic>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</topic><topic>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>OKIMOTO, TADAO</creatorcontrib><creatorcontrib>KUROKAWA, YOSHINORI</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>OKIMOTO, TADAO</au><au>KUROKAWA, YOSHINORI</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PLASMA CVD FILM-FORMING DEVICE</title><date>2015-10-08</date><risdate>2015</risdate><abstract>Provided is a plasma CVD film-forming device for preventing the occurrence of an abnormal discharge in a section where a substrate is not wrapped in a range where a film is formed in the axial direction of a film-forming roller. The plasma CVD film-forming device (10) is equipped with: a vacuum chamber (1); a metal film-forming roller (2) having a band-like substrate wrapped around one section of the outer circumferential surface thereof in the circumferential direction; a magnetic-field generation unit (3) that generates a magnetic field outside the section of the film-forming roller (2) around which the substrate is wrapped, and is positioned inside the film-forming roller (2); a power source (4) that imparts, to the film-forming roller (2), an AC voltage for generating plasma inside the magnetic field region, and is connected to the film-forming roller (2); and an insulating section (9) that is formed from an insulating material and covers a range along the surface of the film-forming roller (2) including at least the region of the outer circumferential surface in the axial direction of the film-forming roller (2) where the magnetic-field generation unit (3) is positioned.
L'invention se rapporte à un dispositif de formation de film par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma, permettant d'empêcher l'apparition d'une décharge anormale dans une section où un substrat n'est pas enroulé dans une plage où un film est formé dans la direction axiale d'un rouleau de formation de film. Le dispositif de formation de film par CVD assisté par plasma (10) est pourvu de : une chambre à vide (1) ; un rouleau de formation de film métallique (2) comprenant un substrat en forme de bande enroulé autour d'une section de sa surface de circonférence externe dans la direction de la circonférence ; une unité de production de champ magnétique (3) pour la production d'un champ magnétique à l'extérieur de la section du rouleau de formation de film (2) autour de laquelle le substrat est enroulé et disposée à l'intérieur du rouleau de formation de film (2) ; une source de puissance (4) pour l'application au rouleau de formation de film (2) d'une tension alternative pour produire un plasma à l'intérieur de la région de champ magnétique et branchée au rouleau de formation de film (2) ; et une section isolante (9) qui comprend un matériau isolant et recouvre une plage le long de la surface du rouleau de formation de film (2) comprenant au moins la région dans la direction axiale du rouleau de formation de film (2) de la surface de circonférence externe où l'unité de production de champ magnétique (3) est disposée.
成膜ローラの軸方向についての成膜が行われる範囲において基材が巻き掛けられていない部分において異常放電の発生を防止するプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。 プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、真空チャンバ１と、帯状の基材が外周面のうちの周方向の一部に巻き掛けられる金属製の成膜ローラ２と、成膜ローラ２の内部に配置され、成膜ローラ２における基材が巻き掛けられる部分の外側に磁場を生成する磁場生成部３と、成膜ローラ２に接続され、磁場の領域内にプラズマを生成するための交流電圧を当該成膜ローラ２に印加する電源４と、絶縁材料からなり、成膜ローラ２の表面のうちの当該成膜ローラ２の軸方向において少なくとも前記外周面における磁場生成部３の配置領域の範囲を覆う絶縁部９とを備えている。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
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