PLASMA CVD FILM-FORMING DEVICE

Provided is a plasma CVD film-forming device for preventing the occurrence of an abnormal discharge in a section where a substrate is not wrapped in a range where a film is formed in the axial direction of a film-forming roller. The plasma CVD film-forming device (10) is equipped with: a vacuum chamber (1); a metal film-forming roller (2) having a belt-shaped substrate wrapped around one section of the outer-circumferential surface thereof in the circumferential direction; a magnetic-field generation unit (3) for generating a magnetic field outside the section of the outer-circumferential surface of the film-forming roller (2) around which the substrate is wrapped, and positioned inside the film-forming roller (2); a power source (4) for imparting, to the film-forming roller (2), an AC voltage for generating plasma inside the magnetic field region, and connected to the film-forming roller (2); and a cover (9) for covering a section (2b) of the outer-circumferential surface of the film-forming roller (2), not in contact with the substrate (A), and positioned opposite the section (2a) around which the substrate (A) is wrapped, with the rotation axis of the film-forming roller (2) interposed therebetween. La présente invention se rapporte à un dispositif de formation de film par CVD plasma pour prévenir l'apparition d'une décharge anormale dans une section où un substrat n'est pas enveloppé dans une plage où un film est formé dans la direction axiale d'un rouleau de formation de film. Le dispositif de formation de film par CVD (10) plasma est équipé : d'une chambre à vide (1); d'un rouleau de formation de film métallique (2) ayant un substrat en forme de courroie enroulé autour d'une section de la surface circonférentielle extérieure de celui-ci dans la direction circonférentielle; une unité de génération de champ magnétique (3) pour générer un champ magnétique à l'extérieur de la section de la surface circonférentielle extérieure du rouleau de formation de film (2) autour duquel le substrat est enveloppé, et positionné à l'intérieur du rouleau de formation de film (2); une source d'énergie (4) pour conférer, au rouleau de formation de film (2), une tension de courant alternatif pour générer un plasma à l'intérieur de la région de champ magnétique, et reliée au rouleau de formation de film (2); et un couvercle (9) pour recouvrir une section (2b) de la surface circonférentielle extérieure du rouleau de formation de film (2) non en contact avec le substrat (A),